[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810144901.2 申请日: 2008-08-07
公开(公告)号: CN101393612A 公开(公告)日: 2009-03-25
发明(设计)人: 神藤英彦;坂间功 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G06K19/073 分类号: G06K19/073;G06K7/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 许 静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置由在晶片上形成多个的、具有多个信息块的芯片10组成。其中,使用固定图形法在该芯片10的芯片识别块中写入唯一给予作为分割晶片的区域的、在一个射域内包含的各个芯片10的信息位。然后,用掩模移动法写入唯一给予晶片内的每个射域的信息位。进而使用掩模移动法以及掩模组合法在该晶片上形成的芯片10的晶片识别块中写入唯一给予每个晶片的信息位。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1. 一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置由在晶片上形成的、具有多个信息块的多个芯片组成,其特征在于,包含下述工序:芯片识别块写入工序,其用于把唯一给予作为分割所述晶片的区域的、在一个射域内包含的所述各个芯片的第一信息位写入该芯片的第一信息块内;射域识别块写入工序,其用于把唯一给予所述晶片内的所述每一射域的第二信息位写入第二信息块内;和晶片识别块写入工序,其用于把唯一给予所述每一晶片的第三信息位写入在该晶片上形成的所述芯片的第三信息块内。
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