[发明专利]薄膜晶体管矩阵基板的制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，该方法包括如下步骤：依序形成电极层、闸极绝缘层、半导体层及欧姆接触层于透明基材上；在一道光刻工艺中形成闸电极和第一储能电极；形成一绝缘层；形成一源电极、一漏电极及一第二储能电极，并暴露部分该半导体层来形成一通道区；形成一保护层；以及形成一像素电极层于保护层上。

主权项

1.一种薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：提供一透明基材；依序形成一电极层、一闸极绝缘层、一半导体层及一欧姆接触层于该透明基材上；图案化该电极层、该闸极绝缘层、该半导体层及该欧姆接触层以形成一第一图案化电极层、一第一图案化闸极绝缘层、一第一图案化半导体层及一第一图案化欧姆接触层；图案化该第一图案化闸极绝缘层、该第一图案化半导体层及该第一图案化欧姆接触层，以形成一第二图案化闸极绝缘层、一第二图案化半导体层及一第二图案化欧姆接触层，且暴露出部分该第一图案化电极层来分别作为一闸电极和一第一储能电极；形成一绝缘层于该闸电极、该第一储能电极及部分该第二图案化欧姆接触层上；形成一源电极、一漏电极及一第二储能电极，并暴露部分该第二图案化半导体层来形成一通道区，其中该源电极和该漏电极分别是位于该通道区的两侧，该第二储能电极是位于该第一储能电极上；形成一保护层于该通道区、该源电极、该漏电极及该第二储能电极上；以及形成一像素电极层于该保护层上，并分别电性连接于该漏电极和该第二储能电极。