[发明专利]薄膜晶体管矩阵基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，特别是涉及一种液晶显示器的薄膜晶体管矩阵基板的制造方法。

背景技术

随着信息、通信产业不断地推陈出新，带动了液晶显示器(Liquid CrystalDisplay，LCD)市场的蓬勃发展。液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低驱动电压、与低消耗功率等优点，因此被广泛应用于个人数字助理(PersonalDigital Assistant，PDA)、行动电话、摄录放影机、笔记型计算机、桌上型显示器、车用显示器、及投影电视等消费性通讯或电子产品。

一般而言，液晶显示面板主要包含一彩色滤光片(Color Filter，CF)基板及一薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)数组基板。CF基板上设有复数个彩色滤光片和共同电极。薄膜晶体管矩阵基板上设有复数条彼此平行的扫描线、复数条彼此平行的数据线、复数个薄膜晶体管及像素电极，其中扫描线是垂直于闸线，且每两相邻扫描线和两相邻数据线相交之处电性连接薄膜晶体管及像素电极以界定至少一像素(Pixel)区域。

一般薄膜晶体管矩阵基板的制程中，需运用许多半导体显影技术，然而，光罩的价钱相当昂贵，光罩数越多即代表所需的成本越高，且制造时程也会越长，因而减少光罩数，除了可降低成本外，还可加速产出速度，增加产品的竞争力。因此，减少薄膜晶体管矩阵基板制程所使用的光罩数，即可降低制造的成本，而使产品更具有竞争力。

发明内容

本发明的目的的一在于提供一种薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，该方法包括如下步骤：

提供一透明基材；

依序形成电极层、闸极绝缘层、半导体层及欧姆接触层于该透明基材上；

图案化电极层、闸极绝缘层、半导体层及欧姆接触层以形成第一图案化电极层、第一图案化闸极绝缘层、第一图案化半导体层及第一图案化欧姆接触层；

图案化该第一图案化闸极绝缘层、该第一图案化半导体层及该第一图案化欧姆接触层，以形成第二图案化闸极绝缘层、第二图案化半导体层及第二图案化欧姆接触层且暴露出部分第一图案化电极层以分别作为闸电极和第一储能电极；

形成绝缘层于该闸电极、第一储能电极及部分第二图案化欧姆接触层上；

形成源电极、漏电极及第二储能电极，并暴露部分第二图案化半导体层来形成通道区，其中源电极和漏电极分别位于通道区的两侧，第二储能电极位于该第一储能电极上；

形成保护层于通道区、源电极、漏电极及第二储能电极上；以及

形成像素电极层于保护层上，并分别电性连接于漏电极和第二储能电极。

所述半导体层是利用快速热退火(Rapid thermal annealing；RTA)步骤来形成。

所述闸电极和第一储能电极是利用一半色调(Half-tone)光罩来形成。

本发明的薄膜晶体管矩阵基板的制造方法可减少制程中的光罩数，降低成本及加速产出速度。再者，本发明可形成多晶硅，以提升组件性能及减少电压偏移(Vt Shift)的问题，并可解决因高温结晶制程的玻璃收缩所造成的光罩对准(Alignment Mark)偏移问题。且本发明可兼容于反向信道蚀刻(Back-Channel Etch，BCE)制程，因而可达到高性能及低制程成本的目的。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1显示依据本发明之一实施例的薄膜晶体管矩阵基板的剖面示意图；

图2A至图2J显示依据本发明之一实施例的薄膜晶体管矩阵基板的制造方法的各步骤中薄膜晶体管矩阵基板的剖面示意图；以及

图3显示依据本发明之一实施例的薄膜晶体管矩阵基板的制造方法流程图。