[发明专利]薄膜晶体管矩阵基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

提供一透明基材；

依序形成一电极层、一闸极绝缘层、一半导体层及一欧姆接触层于该透明基材上；

图案化该电极层、该闸极绝缘层、该半导体层及该欧姆接触层以形成一第一图案化电极层、一第一图案化闸极绝缘层、一第一图案化半导体层及一第一图案化欧姆接触层；

图案化该第一图案化闸极绝缘层、该第一图案化半导体层及该第一图案化欧姆接触层，以形成一第二图案化闸极绝缘层、一第二图案化半导体层及一第二图案化欧姆接触层，且暴露出部分该第一图案化电极层来分别作为一闸电极和一第一储能电极；

形成一绝缘层于该闸电极、该第一储能电极及部分该第二图案化欧姆接触层上；

形成一源电极、一漏电极及一第二储能电极，并暴露部分该第二图案化半导体层来形成一通道区，其中该源电极和该漏电极分别是位于该通道区的两侧，该第二储能电极是位于该第一储能电极上；

形成一保护层于该通道区、该源电极、该漏电极及该第二储能电极上；以及

形成一像素电极层于该保护层上，并分别电性连接于该漏电极和该第二储能电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：该形成半导体层的步骤包括如下步骤：

形成一非晶硅层；以及

对该非晶硅层进行一快速热退火步骤，藉以使该非晶硅层再结晶成一多晶硅层，而形成该半导体层。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：

形成至少一第一光阻结构和至少一第二光阻结构于该欧姆接触层上，其中该第一光阻结构具有一第一厚度和一第二厚度，该第二光阻结构具有该第二厚度，该第一厚度大于该第二厚度；

利用该第一光阻结构和该第二光阻结构来形成第一图案化电极层、第一图案化闸极绝缘层、第一图案化半导体层及第一图案化欧姆接触层；

移除该第二光阻结构和部分该第一光阻结构；

进行一蚀刻步骤，以蚀刻该第一图案化闸极绝缘层、该第一图案化半导体层及该第一图案化欧姆接触层，而形成第二图案化闸极绝缘层、第二图案化半导体层及第二图案化欧姆接触层，且暴露出部分该第一图案化电极层来分别作为闸电极和第一储能电极；及

移除残留的该第一光阻结构。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：该形成该第一光阻结构和该第二光阻结构的步骤的步骤包括如下步骤：

形成一光阻层于该欧姆接触层上；以及

利用一半色调光罩来图案化该光阻层，以形成该第一光阻结构和该第二光阻结构。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：该第一光阻结构的该第一厚度的区域面积是相等于一薄膜晶体管的一半导体岛的区域面积。

6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：该第一光阻结构的该第二厚度的区域面积是相等于该闸电极的区域面积。

7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：该第二光阻结构的该第二厚度的区域面积是相等于该第一储能电极的区域面积。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：该形成该源电极、该漏电极及该第二储能电极的步骤至少包含：

形成一导电层于该绝缘层和该欧姆接触层上；以及

图案化该导电层，以定义出该源电极、该漏电极及该第二储能电极，并形成该通道区。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：该形成该保护层的步骤至少包含：

形成一透光绝缘层于该通道区、该绝缘层、该源电极、该漏电极及该第二储能电极上；以及

图案化该透光绝缘层，以形成一第一接孔和一第二接孔。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管矩阵基板的制造方法，其特征在于：该第一接孔暴露出部分该漏电极，该第二接孔暴露出部分该第二储能电极，且像素电极层于该保护层上通过该第一接孔和该第二接孔来分别电性连接于该漏电极和该第二储能电极。