[发明专利]一种栅氧化层的制造方法有效
| 申请号： | 200810135916.2 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101620996A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 石亮;黄清俊;施晓东;程书芬;王锴;胡明华 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种栅氧化层的制造方法，包括以下步骤：在基底表面的垫层氧化层上沉积第一氮化物层；以该第一氮化物层作为硬罩幕层蚀刻该氮化物层和基底形成具有预定厚度的深沟槽；再沉积第二氮化物层；蚀刻去除深沟槽底部的第二氮化物层，而后在深沟槽底部形成底部氧化物层；蚀刻去除垫层氧化层上的氮化物层和沟槽内的氮化物层；在以上形成的结构上表面形成栅极氧化物层。采用本发明的方法制造栅氧化层可以使晶体管的沟槽底部的氧化层厚度增加，减少栅极充放电容，而不影响晶体管的其他电性参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种栅氧化层的制造方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1、在基底表面的垫层氧化层上沉积第一氮化物层；步骤2、以该第一氮化物层作为硬罩幕层蚀刻该氮化物层和基底形成具有预定厚度的深沟槽；步骤3、再沉积第二氮化物层；步骤4、蚀刻去除深沟槽底部的第二氮化物层，而后在深沟槽底部形成底部氧化层；步骤5、蚀刻去除垫层氧化层上的氮化物层和沟槽内的氮化物层；步骤6、在步骤5形成的结构上表面形成栅氧化物层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于和舰科技（苏州）有限公司，未经和舰科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810135916.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元
- 下一篇：熔丝感应电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
