[发明专利]一种栅氧化层的制造方法

权利要求书

1.一种栅氧化层的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1、在由衬底、外延层、垫层氧化层构成的基底表面的垫层氧化层上沉 积第一氮化物层，所述第一氮化物层为氮化硅层，所述第一氮化物层的厚度大 于上述垫层氧化层，所述基底包括N+衬底，N-外延层，以及P-离子构成的阱 区和N+离子构成的源极；

步骤2、以该第一氮化物层作为硬罩幕层，光刻或蚀刻基底上的垫层氧化层， 定义出沟槽区域的范围，而后采用干式蚀刻方法，对外延层进行蚀刻，形成具 有预定厚度的深沟槽；

步骤3、再沉积第二氮化物层，所述第二氮化物层的厚度小于第一氮化物层， 所述第二氮化物层的材料与第一氮化物层相同，此时所述沟槽的侧壁和底部也 沉积有一层氮化物层，且所述沟槽侧壁与底部的氮化物层厚度相等，垫层氧化 层上的氮化物层的厚度为所述第一氮化物层与第二氮化物层之和；

步骤4、采用干式蚀刻方法蚀刻去除深沟槽底部的第二氮化物层以及器件表 面部分第二氮化物层，所述深沟槽侧壁仍存在氮化物层，仅沟槽底部暴露出外 延层材料；而后将器件送入炉管，加热炉管达到氧化温度，通过氧化作用在深 沟槽底部形成底部氧化层，所述底部氧化层为氧化硅层，该氧化物层的厚度大 于生成的栅极氧化物层；

步骤5、采用湿式蚀刻方法蚀刻去除垫层氧化层上的氮化物层和沟槽内的氮 化物层；

步骤6、采用湿蚀刻的方法去除步骤5形成的结构的垫层氧化层，而后在形 成的结构上表面形成一层氧化物层，形成方法与步骤4中所述底部氧化物层的 形成方法相同，通过在炉管内氧化生长形成，该氧化物层形成牺牲氧化物层， 而后蚀刻去除牺牲氧化物层和残余的多晶硅，底部氧化物层也被部分蚀刻去除， 仅留部分底部氧化物层，再经由炉管氧化生长栅极氧化物层。