[发明专利]像素结构的制作方法

摘要

本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法如下所述。首先，于基板上形成栅极，并于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极。然后，于栅绝缘层上形成沟道层并于沟道层与栅绝缘层上形成导电层。接着，于导电层上形成具有彩色滤光层容纳开口的感光型黑矩阵，其包括第一区块与第二区块，第一区块的厚度小于第二区块的厚度。然后，以感光型黑矩阵为光掩膜图案化导电层以于沟道层上形成源极与漏极。之后，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于感光型黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。然后，图案化介电层以使漏极暴露并形成与漏极电连接的像素电极。

主权项

1、一种像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：于一基板上形成一栅极；于所述基板上形成一栅绝缘层以覆盖所述栅极；于所述栅绝缘层上形成一沟道层；于所述沟道层与所述栅绝缘层上形成一导电层；于所述导电层上形成一感光型黑矩阵，其中所述感光型黑矩阵具有一彩色滤光层容纳开口，且所述感光型黑矩阵包括一第一区块以及一第二区块，且所述第一区块的厚度小于所述第二区块的厚度；以所述感光型黑矩阵为光掩膜，图案化所述导电层以于所述沟道层上形成一源极以及一漏极，其中所述栅极、所述沟道层、所述源极以及所述漏极构成一薄膜晶体管；通过喷墨印刷工艺于所述彩色滤光层容纳开口内形成一彩色滤光层；于所述感光型黑矩阵与所述彩色滤光层上形成一介电层；图案化所述介电层，以使所述漏极暴露；以及形成一与所述漏极电连接的像素电极。