[发明专利]像素结构的制作方法

权利要求书

1、一种像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

于一基板上形成一栅极；

于所述基板上形成一栅绝缘层以覆盖所述栅极；

于所述栅绝缘层上形成一沟道层；

于所述沟道层与所述栅绝缘层上形成一导电层；

于所述导电层上形成一感光型黑矩阵，其中所述感光型黑矩阵具有一彩色滤光层容纳开口，且所述感光型黑矩阵包括一第一区块以及一第二区块，且所述第一区块的厚度小于所述第二区块的厚度；

以所述感光型黑矩阵为光掩膜，图案化所述导电层以于所述沟道层上形成一源极以及一漏极，其中所述栅极、所述沟道层、所述源极以及所述漏极构成一薄膜晶体管；

通过喷墨印刷工艺于所述彩色滤光层容纳开口内形成一彩色滤光层；

于所述感光型黑矩阵与所述彩色滤光层上形成一介电层；

图案化所述介电层，以使所述漏极暴露；以及

形成一与所述漏极电连接的像素电极。

2、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，还包括于所述感光型黑矩阵、所述薄膜晶体管以及所述栅绝缘层上形成一保护层。

3、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，图案化所述导电层的步骤包括：

以所述感光型黑矩阵为光掩膜，移除部分未被所述感光型黑矩阵覆盖的所述导电层，以于所述沟道层上形成所述源极与所述漏极；以及

减少所述感光型黑矩阵的厚度，直到所述第一区块被完全移除。

4、如权利要求3所述的像素结构的制作方法，其特征在于，移除部分未被所述感光型黑矩阵覆盖的所述导电层的步骤包括进行一湿法刻蚀工艺。

5、如权利要求3所述的像素结构的制作方法，其特征在于，减少感光型黑矩阵厚度的步骤包括进行一干法刻蚀工艺，其中所述干法刻蚀工艺包括一灰化工艺。

6、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述沟道层的形成步骤包括：

于所述栅绝缘层上形成一半导体材料层；以及

图案化所述半导体材料层以形成一半导体层。

7、如权利要求6所述的像素结构的制作方法，其特征在于，还包括于所述半导体层表面上形成一欧姆接触层，其中图案化所述导电层的步骤包括：

以所述感光型黑矩阵为光掩膜，移除部分未被所述感光型黑矩阵覆盖的所述导电层，以于所述沟道层上形成所述源极与所述漏极；以及

移除在沟道层上的欧姆接触层，再减少所述感光型黑矩阵的厚度，直到所述第一区块被完全移除，其中图案化所述导电层的步骤包括：

以所述感光型黑矩阵为光掩膜，移除部分未被所述感光型黑矩阵覆盖的所述导电层，以于所述沟道层上形成所述源极与所述漏极；以及

移除在沟道层上的欧姆接触层，再减少所述感光型黑矩阵的厚度，直到所述第一区块被完全移除，其中移除在沟道层上的欧姆接触层与减少感光型黑矩阵厚度的步骤包括进行一干法刻蚀工艺。

8、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，图案化所述介电层的步骤包括：

于所述介电层上形成一光刻胶层；以及

以所述光刻胶层为光掩膜，移除部分的所述介电层与部分的所述感光型黑矩阵，以分别于所述介电层与所述感光型黑矩阵中形成一第一开口与一第二开口。

9、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述像素电极的步骤包括：

形成一电极材料层于所述介电层、所述感光型黑矩阵与所述漏极上；以及

图案化所述电极材料层。

10、如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，在形成栅极的同时，还包括形成一第一电容电极，而在形成所述源极与所述漏极的同时，还包括形成一第二电容电极，所述第一电容电极与所述第二电容电极构成一存储电容器。