[发明专利]一种减小功耗的装置无效
| 申请号： | 200810134296.0 | 申请日： | 2008-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101335519A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 何再生;易满星;王惠刚 | 申请（专利权）人： | 炬力集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20;H03K19/173;H03K17/13 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 519085广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小功耗的装置，包括：延时反相电路，N型金属氧化物半导体NMOS和P型金属氧化物半导体PMOS，所述延时反相电路，用于当输入信号电平发生变化时，开始关断处于导通状态的MOS管，经过设定延时时间后，开始导通处于关断状态的MOS管。本发明实施例提供的减小功耗的装置能够能够避免电路中PMOS和NMOS的工作状态同时发生改变，从而有效缩短了PMOS和NMOS同时导通的时间，因此降低了电路的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 功耗 装置 | ||
【主权项】：
1、一种减小功耗的装置，包括：N型金属氧化物半导体NMOS和P型金属氧化物半导体PMOS，PMOS的源极与电源相连，NMOS的源极与接地端相连，PMOS的漏极与NMOS的漏极相连；其特征在于，该装置还包括延时反相电路；所述延时反相电路，用于当输入信号电平发生变化时，开始关断处于导通状态的MOS管，经过设定延时时间后，开始导通处于关断状态的MOS管。
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