[发明专利]半导体装置及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括：一基底；一绝缘埋层，形成于该基底内；至少一深沟渠绝缘结构，形成于该绝缘埋层上；以及一深沟渠接触结构，形成于所述这些深沟渠绝缘结构之间，且该深沟渠接触结构与于位于该绝缘埋层下的该基底电性连接。包含未掺杂的多晶硅的绝缘材料，其可缓冲由于外延层与包含氧化物的衬垫层彼此之间的晶格差异度大，而在接合界面处产生的应力，因此能够提升元件的稳定性及其功效。深沟渠接触结构可利用形成与元件电性连接的接触插塞的工艺予以形成，因此深沟渠接触结构可与接触插塞以相同的工艺同时形成，而不需要进行额外的工艺步骤，因此能达到降低成本的目的。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：一基底；一绝缘埋层，形成于所述基底内；至少一深沟渠绝缘结构，形成于所述绝缘埋层上；以及一深沟渠接触结构，形成于所述这些深沟渠绝缘结构之间，且所述深沟渠接触结构与于位于所述绝缘埋层下的所述基底电性连接。