[发明专利]半导体装置及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：

一基底；

导体埋层，形成于所述基底中；

一绝缘埋层，形成于所述导体埋层上；

外延层，形成于所述绝缘埋层上；

至少两个深沟渠绝缘结构，形成于所述绝缘埋层上，并位于所述外延层 中；以及

一深沟渠接触结构，形成于所述至少两个深沟渠绝缘结构之间，且所述 深沟渠接触结构通过所述导体埋层与位于所述导体埋层下的所述基底电性连 接；

其中，所述的深沟渠绝缘结构包括衬垫层及绝缘材料，所述衬垫层形成 于所述绝缘材料的底表面及侧壁上；所述的深沟渠接触结构包括障碍层及导 电材料，所述障碍层位于所述的深沟渠接触结构所在的深沟渠的底部及侧壁 上，所述导电材料填充在所述深沟渠中，所述绝缘材料包含未掺杂的多晶硅， 所述深沟渠绝缘结构及绝缘材料上形成有一层间介电层；所述的深沟渠接触 结构利用形成与元件电性连接的接触插塞的工艺形成；所述的深沟渠接触结 构上端设有金属层。

2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：

提供一基底，其具有一绝缘埋层、一导体埋层位于其中；

于所述绝缘埋层上形成至少两个深沟渠绝缘结构；以及

于所述至少两个深沟渠绝缘结构之间形成一深沟渠接触结构，其中所述 深沟渠接触结构与位于所述绝缘埋层下的所述基底电性连接；

其中，所述深沟渠绝缘结构的制造方法包括：于所述基底内形成一第一 深沟渠以暴露所述绝缘埋层；于所述第一深沟渠的侧壁及底表面上形成一衬 垫层；形成一绝缘材料，以填充所述第一深沟渠；

所述深沟渠接触结构的制造方法包括：于所述至少两个深沟渠绝缘结构 之间形成一第二深沟渠以暴露位于所述绝缘埋层下的部分深度的所述导体埋 层，或暴露位于所述绝缘埋层下的所述导体埋层的上表面；于所述第二深沟 渠的底部及侧壁上形成一阻障层；形成一导电材料，以填充所述第二深沟渠；

其中，所述导体埋层形成于所述基底中，所述绝缘埋层形成于所述导体 埋层上，外延层形成于所述绝缘埋层上，所述绝缘材料包含未掺杂的多晶硅， 所述深沟渠绝缘结构及绝缘材料上形成有一层间介电层；所述的深沟渠接触 结构利用形成与元件电性连接的接触插塞的工艺形成；所述的深沟渠接触结 构上端设有金属层。