[发明专利]半导体器件和该半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200810131295.0 | 申请日： | 2008-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101364578A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 田边学;藤本博昭 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能防止将基板的电极与半导体元件的电极电连接的金属细线之间的接触的半导体器件。本发明涉及的半导体器件在半导体元件的电极上形成其硬度小于金属细线的硬度的金属突起，该金属突起与金属细线接合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：具有多个电极的基板；安装在所述基板上的具有多个电极的半导体元件；分别形成在所述半导体元件的电极上的各金属突起；以及各金属细线，所述各金属细线分别与所述基板的电极和所述金属突起接合，将所述基板的电极与所述半导体元件的电极电连接，所述各金属突起的硬度小于与所述各金属突起接合的所述各金属细线的硬度。
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