[发明专利]半导体器件和该半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

具有多个电极的基板；

安装在所述基板上的具有多个电极的半导体元件；

分别形成在所述半导体元件的电极上的各金属突起；以及

各金属细线，所述各金属细线分别与所述基板的电极和所述金属突起接合，将所述基板的电极与所述半导体元件的电极电连接，

所述各金属突起的硬度小于与所述各金属突起接合的所述各金属细线的硬度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基板的电极与由形成于所述金属细线的前端的球形部构成的接合部接合，所述金属突起与利用所述金属细线的针脚式接合形成的接合部接合。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述基板的多个电极包括多个内侧电极和多个外侧电极，所述多个内侧电极在所述基板的安装所述半导体元件的安装区域的周围排成1列，所述多个外侧电极在比所述内侧电极更远离所述安装区域的位置上排成至少1列，

所述半导体元件的多个电极包括多个外侧电极和多个内侧电极，所述多个外侧电极在所述半导体元件的一个主面的外周部排成1列，所述多个内侧电极在比所述外侧电极更靠近所述一个主面的中心的位置上排成至少1列，

所述基板的内侧电极以及所述半导体元件的内侧电极上的所述金属突起与由形成于所述金属细线的前端的球形部构成的接合部接合，所述基板的外侧电极以及所述半导体元件的外侧电极上的所述金属突起与利用所述金属细线的针脚式接合形成的接合部接合。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述基板的多个电极包括多个内侧电极和多个外侧电极，所述多个内侧电极在所述基板的安装所述半导体元件的安装区域的周围排成1列，所述多个外侧电极在比所述内侧电极更远离所述安装区域的位置上排成至少1列，

所述基板的外侧电极与由形成于所述金属细线的前端的球形部构成的接合部接合，所述基板的内侧电极与利用所述金属细线的针脚式接合形成的接合部接合，

所述半导体元件的多个电极在所述半导体元件的一个主面的外周部排成1列，多个所述金属突起与由形成于所述金属细线的前端的球形部构成的接合部以及利用所述金属细线的针脚式接合形成的接合部交替接合。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属突起和所述金属细线的主要成分是金，所述金属突起的含金率多于所述金属细线的含金率。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属细线的主要成分是金，且所述金属细线含有钯。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属突起的主要成分是金，所述金属细线的主要成分是铜或铝。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在安装于基板的半导体元件的电极上形成金属突起的工序；以及

将硬度大于所述金属突起的金属细线与所述基板的电极和所述金属突起接合的工序。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在将所述金属细线与所述基板的电极和所述金属突起接合时，在所述基板的电极上接合由形成于所述金属细线的前端的球形部构成的接合部，在所述金属突起上接合利用所述金属细线的针脚式接合形成的接合部。

10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，将所述金属细线与所述基板的电极和所述金属突起接合的工序包括：

在配置于所述基板的安装所述半导体元件的安装区域的周围的1列所述基板的内侧电极上，接合由形成于所述金属细线的前端的球形部构成的接合部，在配置于所述半导体元件的一个主面的外周部的1列所述半导体元件的外侧电极上的所述金属突起上，接合利用所述金属细线的针脚式接合形成的接合部的工序；以及

在配置于比所述半导体元件的外侧电极更靠近所述一个主面的中心的位置上的至少1列所述半导体元件的内侧电极上的所述金属突起上，接合由形成于所述金属细线的前端的球形部构成的接合部，在配置于比所述基板的内侧电极更远离所述安装区域的位置的至少1列所述基板的外侧电极上，接合利用所述金属细线的针脚式接合形成的接合部的工序。