[发明专利]半导体器件和该半导体器件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件和该半导体器件的制造方法。

背景技术

近年来，移动通信设备等电子设备正向小型化、高性能化、多功能化方向发展，为了与之相适应，半导体器件趋向小型化、高密度化、多引脚化。例如越来越多地使用在其底面以面阵列状配置外部端子的组件型半导体器件。另外，沿芯片的外周部(周边部)以交错配置等方式配置多列将被封装的半导体芯片的电极，因此，电连接半导体芯片的电极与组件的电极的接合金属丝较长。

作为这样的组件型半导体器件的一个例子，有BGA(Ball Grid Array：球栅阵列)组件。图8表示现有的BGA组件。

如图8所示，这种BGA组件包括：BGA基板40(以下简称为基板40)；形成在基板40上的电极41、42；固接于基板40上的半导体芯片43；形成于半导体芯片43的表面的电极44a、44b；以及电连接半导体芯片的电极44a、44b与基板的电极41、42的接合金属丝45、47。半导体芯片的电极44a、44b与由形成于接合金属丝45、47的前端的球形部46、48构成的接合部接合。

在这样的BGA组件中，接合金属丝45与配置在半导体芯片43的外周部的电极44a连接，接合金属丝47与配置在比该外周部的电极44a更靠近中心的位置上的电极44b连接，为了保持接合金属丝45与接合金属丝47之间的距离，将与外周部的电极44a连接的接合金属丝45的环形高度设得尽可能低(例如参照日本专利特开平8—340018号公报)。

如上所述，以往为了使相邻的接合金属丝之间互不接触，在半导体器件中三维配置接合金属丝。

而且，以往为了在接合金属丝与半导体芯片的电极接合时不损坏该电极下面的布线等，以金(Au)为主要成分构成接合金属丝。

但是，若为了防止半导体芯片内部的布线等的损坏而以Au为主要成分构成接合金属丝，则难以维持接合金属丝的环形形状，接合金属丝之间有时会接触，该接触导致合格率下降。

发明内容

鉴于上述问题，本发明目的在于，提供能防止接合金属丝之间相互接触，并提高合格率的半导体器件和该半导体器件的制造方法。

为实现上述目的，本发明的第1半导体器件包括具有多个电极的基板；安装在上述基板上的具有多个电极的半导体元件；分别形成在上述半导体元件的电极上的各金属突起；以及各金属细线，所述各金属细线分别与上述基板的电极和上述金属突起接合，电连接上述基板的电极与上述半导体元件的电极，且上述各金属突起的硬度小于与上述各金属突起接合的上述各金属细线的硬度。

本发明的第2半导体器件基于上述第1半导体器件，上述基板的电极与由形成于上述金属细线的前端的球形部构成的接合部接合，上述金属突起与利用上述金属细线的针脚式接合形成的接合部接合。

本发明的第3半导体器件基于上述第1半导体器件，上述基板的多个电极包括多个内侧电极和多个外侧电极，所述多个内侧电极在上述基板的安装上述半导体元件的安装区域的周围排成1列，所述多个外侧电极在比这些内侧电极更远离上述安装区域的位置上排成至少1列。而且，上述半导体元件的多个电极包括多个外侧电极和多个内侧电极，所述多个外侧电极在上述半导体元件的一个主面的外周部排成1列，所述多个内侧电极在比这些外侧电极更靠近上述一个主面的中心的位置上至少排成1列。此外，上述基板的内侧电极以及上述半导体元件的内侧电极上的上述金属突起与由形成于上述金属细线的前端的球形部构成的接合部接合，上述基板的外侧电极以及上述半导体元件的外侧电极上的上述金属突起与利用上述金属细线的针脚式接合形成的接合部接合。

本发明的第4半导体器件基于上述第1半导体器件，上述基板的多个电极包括多个内侧电极和多个外侧电极，所述多个内侧电极在上述基板的安装上述半导体元件的安装区域的周围排成1列，所述多个外侧电极在比这些内侧电极更远离上述安装区域的位置上排成至少1列。而且，上述基板的外侧电极与由形成于上述金属细线的前端的球形部构成的接合部接合，上述基板的内侧电极与利用上述金属细线的针脚式接合形成的接合部接合。此外，将上述半导体元件的多个电极在上述半导体元件的一个主面的外周部排成1列，多个上述金属突起与由形成于上述金属细线的前端的球形部构成的接合部以及由上述金属细线的针脚式接合形成的接合部交替接合。

本发明的第5半导体器件基于上述第1半导体器件，上述金属突起和上述金属细线的主要成分是金，上述金属突起的含金率多于上述金属细线的含金率。

本发明的第6半导体器件基于上述第1半导体器件，上述金属细线的主要成分是金，且上述金属细线含有钯。