[发明专利]半导体集成电路和半导体器件有效
| 申请号： | 200810130349.1 | 申请日： | 2008-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101355080A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 野野村到;佐圆真;长田健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L25/00;H01L25/065;H04L12/56;H04L29/06;G06F13/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种互连结构技术，其在芯片间利用三维耦合技术收发通过内置于半导体芯片的互连所传送的信息包，从而有效地进行从半导体芯片所装有的IP对另一个半导体芯片所装有的IP的访问。本发明的半导体集成电路，具有发送访问请求的起动器；接收上述访问请求并发送访问响应的目标；对上述访问请求和上述访问响应进行中继的路由器(路由器A105)；以及与外部进行通信的三维耦合电路(三维收发部A1301)，上述三维耦合电路与上述路由器邻接而配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，其特征在于，包括：发送访问请求的起动器；接收上述访问请求并发送访问响应的目标；对上述访问请求和上述访问响应进行中继的路由器；以及与外部进行通信的三维耦合电路，其中，上述三维耦合电路与上述路由器邻接而配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
