[发明专利]非易失存储器及其驱动方法有效
| 申请号： | 200810129849.3 | 申请日： | 2002-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101364436A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 加藤清 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王小衡 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及非易失存储器及其驱动方法。按照本发明的非易失存储器能够准确地读出包含在易受漂移现象影响的存储晶体管中的信息，因为在该存储晶体管上执行的电读是利用从刷新存储晶体管产生的参考电压进行的。此外，按照本发明，其间执行刷新操作的时间周期可以比以前长，这提高了存储在存储晶体管中的信息的可靠性。此外，阈值电压分布之间的间距能够被减小，这提高了多电平非易失存储器的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储器 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失存储器，包括：彼此串联电连接的n个存储晶体管，每一个存储晶体管具有栅电极、第一电极和第二电极；具有栅电极、第三电极和第四电极的选择晶体管，第四电极电连接到从该n个存储晶体管中选择的存储晶体管的第一电极；具有栅电极、第五电极和第六电极的参考存储晶体管；电连接到选择晶体管的第三电极和参考存储晶体管的第五电极的读电路；电连接到读电路的校验电路；以及电连接到校验电路、选择晶体管的第三电极和参考存储晶体管的第五电极的写电路，其中n是不小于2的自然数。
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