[发明专利]非易失存储器及其驱动方法

权利要求书

1.一种非易失存储器，包括：

彼此串联电连接的n个存储晶体管，其中的每一个具有栅电极、第一电极和第二电极；

具有栅电极、第三电极和第四电极的选择晶体管，所述第四电极电连接到从所述n个存储晶体管中选择的存储晶体管的第一电极；

具有栅电极、第五电极和第六电极的参考存储晶体管；

电连接到所述选择晶体管的第三电极和所述参考存储晶体管的第五电极的读电路；

电连接到所述读电路的校验电路；以及

电连接到所述校验电路、所述选择晶体管的第三电极和所述参考存储晶体管的第五电极的写电路，

其中n是不小于2的自然数，

其中所述读电路包括读出放大器电路并且具有：

电连接到所述选择晶体管的第一输入端；

电连接到所述参考存储晶体管的第二输入端；以及

电连接到所述校验电路的输出端，

其中所述非易失存储器还包括：

电连接到所述第一输入端和所述第二输入端的第一参考电压源，以及

电连接到所述第一输入端和所述第二输入端的第二参考电压源。

2.权利要求1的非易失存储器，其中所述第一参考电压源提供的电压高于所述第二参考电压源提供的电压。

3.权利要求1的非易失存储器，其中所述第二参考电压源提供的电压高于所述参考存储晶体管的阈值电压。

4.权利要求1的非易失存储器，其中所述存储晶体管和所述参考存储晶体管存储多电平信息。

5.权利要求1的非易失存储器，

其中所述n个存储晶体管中的每一个包括源区和漏区，

其中所述源区和所述漏区形成在P-阱中，所述P-阱形成在N-衬底中。

6.权利要求5的非易失存储器，其中所述N-衬底是硅衬底。

7.一种非易失存储器，包括：

第一到第n存储晶体管，其中的每一个都具有栅电极、第一电极和第二电极；

具有栅电极、第三电极和第四电极的选择晶体管，所述第四电极电连接到所述第一存储晶体管的第一电极；

具有栅电极、第五电极和第六电极的参考存储晶体管；

电连接到所述选择晶体管的第三电极和所述参考存储晶体管的第五电极的读电路；

电连接到所述读电路的校验电路；以及

电连接到所述校验电路、所述选择晶体管的第三电极和所述参考存储晶体管的第五电极的写电路，

其中第m存储晶体管的第二电极电连接到第m+1存储晶体管的第一电极，

其中n是不小于2的自然数，并且

其中m是不小于2且不大于n-1的自然数，

其中所述读电路包括读出放大器电路并且具有：

电连接到所述选择晶体管的第一输入端；

电连接到所述参考存储晶体管的第二输入端；以及

电连接到所述校验电路的输出端，

其中所述非易失存储器还包括：

电连接到所述第一输入端和所述第二输入端的第一参考电压源，以及

电连接到所述第一输入端和所述第二输入端的第二参考电压源。

8.权利要求7的非易失存储器，其中所述第一参考电压源提供的电压高于所述第二参考电压源提供的电压。

9.权利要求7的非易失存储器，其中所述第二参考电压源提供的电压高于所述参考存储晶体管的阈值电压。

10.权利要求7的非易失存储器，其中所述存储晶体管和所述参考存储晶体管存储多电平信息。

11.权利要求7的非易失存储器，

其中所述第一到第n存储晶体管中的每一个都包括源区和漏区，

其中所述源区和所述漏区形成在P-阱中，所述P-阱形成在N-衬底中。

12.权利要求11的非易失存储器，其中所述N-衬底是硅衬底。