[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 200810129848.9 申请日: 2008-08-07
公开(公告)号: CN101364584A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 川岛庆一;吉田直人;细见刚 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/31
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 闫小龙;刘宗杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种不改变外部形状就可以降低噪声指数的半导体装置。源极框架(1)具有下垫板(2)。直线形的栅极框架(4)具有与下垫板(2)分离的焊盘(6)。在下垫板(2)上安装半导体芯片(3)。通过多个导线(8)电连接半导体芯片(3)的源极端子(9)和下垫板,并且电连接半导体芯片(3)的栅极端子(11)和焊盘(6)。由树脂(12)密封下垫板(2)、焊盘(6)、半导体芯片(3)和多个导线(8)。下垫板(2)在焊盘(6)附近相对于栅极框架(4)的延伸方向倾斜的方向上被切割。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:具有下垫板的源极框架;直线形的栅极框架,具有与所述下垫板分离的焊盘;安装在所述下垫板上的半导体芯片;多个导线,将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接,并且将所述半导体芯片的栅极端子和所述焊盘电连接;树脂,将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封,所述下垫板在所述焊盘的附近在相对于所述栅极框架的延伸方向倾斜的方向上被切割。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810129848.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top