[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具有：具有下垫板的源极框架；直线形的栅极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的栅极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，

所述下垫板在所述焊盘的附近在相对于所述栅极框架的延伸方向倾斜的方向上被切割。

2.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

所述焊盘在所述下垫板的附近与所述下垫板的在倾斜方向切割的部分平行地被切割。

3.一种半导体装置，其特征在于，

具有：具有下垫板的源极框架；直线形的漏极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，

所述漏极框架的宽度在所述焊盘处变宽。

4.根据权利要求3的半导体装置，其特征在于，

所述下垫板和所述焊盘对置的部分分别在相对于所述漏极框架的延伸方向倾斜的方向上被切割。

5.根据权利要求3的半导体装置，其特征在于，

所述下垫板和所述焊盘对置的部分被阶梯状地切割。

6.一种半导体装置，其特征在于，

具有：具有下垫板的源极框架；漏极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘将电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，

所述下垫板“コ”形地包围所述焊盘的外周部。

7.一种半导体装置，其特征在于，

具有：具有下垫板的源极框架；漏极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，

所述焊盘“L”形地包围所述下垫板的外周部。

8.一种半导体装置，其特征在于，

具有：具有下垫板的源极框架；漏极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，

所述下垫板和所述焊盘对置的部分是交叉指型结构。

9.一种半导体装置，其特征在于，

具有：具有下垫板的源极框架；漏极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，

所述焊盘配置在所述下垫板的上方。

10.一种半导体装置，其特征在于，

具有：具有下垫板的源极框架；漏极框架，与所述下垫板分离；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，

所述漏极框架配置在所述下垫板的下方。

11.一种半导体装置，其特征在于，

具有：具有下垫板的源极框架；漏极框架，具有与所述下垫板分离的焊盘；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，将所述半导体芯片的源极端子和所述下垫板电连接，并且将所述半导体芯片的漏极端子和所述焊盘电连接；树脂，将所述下垫板、所述焊盘、所述半导体芯片和所述多个导线密封，

所述下垫板在所述焊盘的下方延伸。