[发明专利]故障解析方法及故障解析装置无效
| 申请号： | 200810129552.7 | 申请日： | 2008-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101354366A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 二川清 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N25/72 | 分类号： | G01N25/72;G01N27/82;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种故障解析方法及故障解析装置，在解析半导体芯片的故障时，不需要与外部进行端子连接，能以亚微米的空间分辨率将电流路径及缺陷可视化。本发明包含：用光电流产生用激光束(2)对LSI芯片(1)进行固定照射的工序；用加热用激光束(3)对LSI芯片(1)的被观测区域扫描并照射的工序；用SQUID磁通计(4)检测由于光电流产生用激光束(2)及加热用激光束(3)的照射而在LSI芯片(1)上产生的电流变化的工序；及根据SQUID磁通计(4)检测到的电流变化，解析LSI芯片(1)的故障的工序。光电流产生用激光束(2)及加热用激光束(3)的照射从LSI芯片(1)的背面侧进行，SQUID磁通计(4)进行的检测在LSI芯片(1)的表面侧进行。LSI芯片(1)的故障的解析中，进行使从SQUID磁通计(4)输出的信号与扫描点对应的图像处理。 | ||
| 搜索关键词： | 故障 解析 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种故障解析方法，其特征在于，包含：用光电流产生用激光束对半导体芯片或晶片进行固定照射的工序；用加热用激光束对所述半导体芯片或晶片的被观测区域扫描并照射的工序；用磁性传感器检测由上述光电流产生用激光束及上述加热用激光束的照射而在上述半导体芯片或晶片上产生的电流变化的工序；及根据上述磁性传感器检测到的电流变化，解析上述半导体芯片或晶片的故障的工序。
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