[发明专利]故障解析方法及故障解析装置

权利要求书

1.一种故障解析方法，其特征在于，包含：

用光电流产生用激光束对半导体芯片或晶片进行固定照射的工 序；

用加热用激光束对所述半导体芯片或晶片的被观测区域扫描并照 射的工序；

用磁性传感器检测由上述光电流产生用激光束及上述加热用激光 束的照射而在上述半导体芯片或晶片上产生的电流变化的工序；及

根据上述磁性传感器检测到的电流变化，解析上述半导体芯片或 晶片的故障的工序。

2.根据权利要求1所述的故障解析方法，其特征在于，

上述磁性传感器为SQUID磁通计。

3.根据权利要求1或2所述的故障解析方法，其特征在于，

在上述光电流产生用激光束的固定照射中，照射上述半导体芯片 或晶片的p-n结合部。

4.根据权利要求1或2所述的故障解析方法，其特征在于，

上述光电流产生用激光束是透过上述半导体芯片或晶片的基板、 且在p-n结合部产生光电流的波长区域；

加热用激光束是透过上述半导体芯片或晶片的基板、且不在p-n 结合部产生光电流地加热布线的波长区域。

5.根据权利要求4所述的故障解析方法，其特征在于，

上述光电流产生用激光束的波长为1.06μm；

上述加热用激光束的波长为1.3μm。

6.根据权利要求1或2所述的故障解析方法，其特征在于，

上述光电流产生用激光束及上述加热用激光束的照射，从上述半 导体芯片或晶片的背面侧进行；

上述磁性传感器进行的检测在上述半导体芯片或晶片的表面侧进 行。

7.根据权利要求1或2所述的故障解析方法，其特征在于，

上述磁性传感器检测由上述光电流产生用激光束及上述加热用激 光束的照射而在上述半导体芯片或晶片上产生的电流所生成的磁场。

8.根据权利要求1或2所述的故障解析方法，其特征在于，

在上述半导体芯片或晶片的故障解析中，进行使从上述磁性传感 器输出的信号与扫描点对应的图像处理。

9.根据权利要求1或2所述的故障解析方法，其特征在于，

在上述半导体芯片或晶片的故障解析中，通过锁相放大器仅取出 从上述磁性传感器输出的信号中的预定频率的信号，根据所取出的预 定频率的信号进行图像处理。

10.一种故障解析装置，包含：

加热用激光，输出加热用激光束；

光电流产生用激光，输出光电流产生用激光束；

光学系统，将输入的上述光电流产生用激光束及上述加热用激光 束混合而成的混合激光束向由半导体芯片或晶片构成的样品的背面输 出；及

磁性传感器，在上述样品的表面侧检测通过上述混合激光束的照 射而在上述样品中产生的电流所生成的磁场，其特征在于，

上述光学系统将上述混合激光束中的上述光电流产生用激光束， 根据控制信号而定位，固定照射到上述样品的背面，将上述混合激光 束中的上述加热用激光束根据控制信号进行扫描的同时照射上述样品 的背面。

11.根据权利要求10所述的故障解析装置，其特征在于，

上述磁性传感器是SQUID磁通计。

12.根据权利要求10或11所述的故障解析装置，其特征在于，

包括锁相放大器，该锁相放大器根据和上述磁性传感器检测到的 信号相对应的磁场信号，输出仅取出预定频率的信号的强度信号。

13.根据权利要求12所述的故障解析装置，其特征在于，

包含产生调制信号与基准信号的脉冲产生器，

上述加热用激光根据来自上述脉冲产生器的上述调制信号，输出 经调制的加热用激光束，

上述锁相放大器根据来自上述脉冲产生器的基准信号，输出相位 信号。

14.根据权利要求13所述的故障解析装置，其特征在于，包括系 统控制系统，该系统控制系统根据来自上述锁相放大器的上述相位信 号及上述强度信号，生成图像显示用信号。