[发明专利]半导体存储器件及其形成方法无效
| 申请号： | 200810127774.5 | 申请日： | 2008-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101330085A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 李钟昱;孙龙勋;崔时荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/8242;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件及其形成方法。存储单元晶体管包括其上具有第一导电型(例如N型)的第一杂质区的半导体基底。其上具有第一导电型的第二杂质区的U形半导体层被提供在第一杂质区上。提供栅极绝缘层，其排列成U形半导体层的底部和内侧壁。栅极电极被提供在栅极绝缘层上。栅极电极被围绕在U形半导体层的内侧壁。提供字线，电性连接到栅极电极，且提供位线，电性连接到第二杂质区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储单元晶体管，包括：其中具有第一导电型的第一杂质区的半导体基底；在第一杂质区上，其中具有第一导电型的第二杂质区的U形半导体层；位于所述U形半导体层的底部和内侧壁的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上的栅极电极，所述栅极电极被U形半导体层的内侧壁围绕；电连接到所述栅极电极的字线；以及电连接到第二杂质区的位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
