[发明专利]单晶金刚石有效
| 申请号： | 200810127437.6 | 申请日： | 2003-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101319359A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | G·A·斯卡斯布鲁克;P·M·马蒂诺;D·J·特威切恩 | 申请（专利权）人： | 六号元素有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 宁家成 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 提供了一种从在基本上没有表面缺陷的基质上通过化学气相淀积(CVD)生长的CVD金刚石生产大面积的单晶金刚石板的方法。横截在其上面进行金刚石生长的基质的表面地切开所述均相外延CVD生长的金刚石和所述基质，以生产大面积的单晶CVD金刚石板。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 | ||
【主权项】：
1.一种单晶CVD金刚石板，其在其相对侧具有主表面，并具有在生长过程中产生的位错，其中所述的位错按照通常平行于至少一个主表面的方向取向。
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