[发明专利]具有带沉积涂层的孔的半导体处理零件及其形成方法有效
申请号: | 200810127262.9 | 申请日: | 2008-06-30 |
公开(公告)号: | CN101392367A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | V·库兹涅佐夫 | 申请(专利权)人: | ASM国际公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/30;C23C16/52 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 荷兰比*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 在半导体处理反应器零件中的孔经尺寸加工以促进保护涂层的沉积,例如在大气压强下的化学气相沉积。在一些实施例中,每个孔均具有流道颈缩部,该流道颈缩部使孔在部分上变窄并且还将该孔划分为一个或多个其他部分。在一些实施例中,所述一个或多个其他部分的纵横比约为15∶1或更小,或者约为7∶1或更小,并且具有圆柱形或圆锥形的横截面形状。通过化学气相沉积对所述孔涂覆保护涂层比如碳化硅涂层,所述化学气相沉积包括在大气压强下的化学气相沉积。 | ||
搜索关键词: | 具有 沉积 涂层 半导体 处理 零件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种制造用于半导体处理反应器的气体分流器的方法,该方法包括:提供部分成形的气体分流器,该气体分流器被配置为形成至少部分定义所述反应器的工艺腔室的壁;在所述气体分流器中形成孔,这些孔完全贯穿所述气体分流器并且每个孔均具有在所述气体分流器的第一侧上的开口,所述开口具有第一宽度,每个所述孔包括:具有通道的颈缩部,该颈缩部具有颈缩部长度和横穿该颈缩部长度的颈缩部宽度,所述颈缩部宽度所在的平面基本平行于所述第一宽度的平面,其中所述颈缩部宽度小于所述第一宽度,其中所述颈缩部长度与该颈缩部宽度的颈缩部比值约为15:1或更小;以及第一部分,该第一部分直接朝向所述气体分流器的第一侧;所述第一部分具有第一长度和第一宽度,所述第一长度在所述颈缩部和所述开口之间延伸,其中所述第一长度与所述第一宽度的第一比值约为15:1或更小;以及通过化学气相沉积涂覆所述气体分流器的表面,包括所述孔的表面。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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