[发明专利]具有带沉积涂层的孔的半导体处理零件及其形成方法

权利要求书

1.一种制造用于半导体处理反应器的气体分流器的方法，该方法包 括：

提供部分成形的气体分流器，该气体分流器被配置为形成至少部 分定义所述反应器的工艺腔室的壁；

在所述气体分流器中形成孔，这些孔完全贯穿所述气体分流器并 且每个孔均具有在所述气体分流器的第一侧上的开口，所述开口具有 第一宽度，每个所述孔包括：

具有通道的颈缩部，该颈缩部具有颈缩部长度和横穿该颈缩 部长度的颈缩部宽度，所述颈缩部宽度所在的平面基本平行于所述第 一宽度的平面，其中所述颈缩部宽度小于所述第一宽度，其中所述颈 缩部长度与该颈缩部宽度的颈缩部比值为15∶1或更小；以及

第一部分，该第一部分直接朝向所述气体分流器的第一侧；

所述第一部分具有第一长度和第一宽度，所述第一长度在所述颈缩部 和所述开口之间延伸，其中所述第一长度与所述第一宽度的第一比值 为15∶1或更小；以及

通过化学气相沉积涂覆所述气体分流器的表面，包括所述孔的表 面。

2.如权利要求1所述的方法，其中涂覆表面在大气压强下被完成。

3.如权利要求1所述的方法，其中涂覆表面包括沉积碳化硅。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成孔还包括形成具有第二部分 的每个所述孔，该第二部分直接朝向所述气体分流器的第二侧，所述 第二部分具有第二长度和第二宽度，所述第二长度和第二宽度定义了 长度与宽度的第二比值，其中该第二比值为15∶1或更小。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述颈缩部比值、所述第一比值 和所述第二比值基本相同。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述颈缩部比值、所述第一比值 和所述第二比值为7∶1或更小。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述部分成形的气体分流器由石 墨构成。

8.一种用于制造半导体处理反应器零件的方法，该方法包括：

提供部分制造好的反应器零件，该反应器零件具有贯穿所述反应 器零件的孔，该孔具有在所述零件的第一表面上的第一开口，该孔还 具有节流部，该节流部具有由所述孔的壁上的向内延伸突起部所定义 的通道，该通道具有节流部纵横比，所述孔具有定义在所述第一开口 和所述节流部之间的第一孔部分，该第一孔部分具有第一纵横比；

确定所述第一纵横比和所述第一孔部分中沉积材料的台阶覆盖之 间的关系，其中S_{first portion}是所述台阶覆盖并且等于t_first out：t_{first portion}的比 值，其中t_first out是沉积在所述第一表面上的材料的表面厚度而t_{first portion}是沉积在邻近所述节流部的第一孔部分的底部上的材料的底部厚度；

选择t_{first portion}的目标值t_{first portion target}；

选择t_out的值以使t_out≥(S_{first portion})(t_{first portion target})；以及

在所述第一表面和所述孔的所述壁上沉积所述材料，其中在所述第 一表面上的沉积材料的厚度是为t_out选择的值或比该值更大。

9.如权利要求8所述的方法，其中沉积t_out为500μm或更大，并 且t_{first portion}为70μm或更大。