[发明专利]射频电极及薄膜制备装置在审

专利信息
申请号: 200810127058.7 申请日: 2008-06-19
公开(公告)号: CN101307437A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 范振华 申请(专利权)人: 东莞宏威数码机械有限公司
主分类号: C23C16/505 分类号: C23C16/505
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李玲
地址: 523080广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于薄膜制备的射频电极,该射频电极具有平板结构(11),且在平板结构(11)的底面设有多个导电凸起(13)。本发明还涉及一种包括上述射频电极的薄膜制备装置,其中射频电极的多个导电凸起(13)伸入布气板(3)上分布的布气孔(4)的中央,在导电凸起(13)和布气孔(4)之间存在间隙。本发明在平板结构上设置了插入布气孔中的导电凸起,使得薄膜制备过程中通过布气孔中的气体能够在导电凸起周围产生强烈放电,从而减少了电离出的离子对薄膜的轰击损伤,提高了沉积膜层的质量。
搜索关键词: 射频 电极 薄膜 制备 装置
【主权项】:
1.一种用于薄膜制备的射频电极,该射频电极具有平板结构(11),且在平板结构(11)的底面设有多个导电凸起(13),所述多个导电凸起(13)能够在薄膜制备过程中伸入布气板(3)上分布的布气孔(4)中,以使通过布气孔(4)的气体在多个导电凸起(13)和布气孔(4)之间放电。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞宏威数码机械有限公司,未经东莞宏威数码机械有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810127058.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top