[发明专利]射频电极及薄膜制备装置

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜制备技术，尤其涉及一种用于薄膜制备的射频电极，以及薄膜制备装置。 

背景技术

在非晶硅电池生产工艺中，通常要通过等离子体加强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD)方式进行薄膜制备。在这种PECVD工艺中，多采用平板电极和微孔式结构的布气方式，如图1所示，为现有薄膜制备装置的结构示意图，包括平板RF阴极1、布气板3、TCO基板5和加热板6，其中布气板3上均匀分布着多个布气孔4，在薄膜制备时通入的反应气体2会在电场的作用下被电离成离子，并沉积在TCO基板5上，同时通过布气孔2的离子也在电场的作用下对TCO基板5上的薄膜层7造成强烈的轰击，从而导致沉积的薄膜的质量受到影响。 

发明内容

本发明的目的是提出一种射频电极，能够用于在薄膜制备过程中有效的减少离子对沉积膜层的轰击损伤而对沉积膜层的质量造成的影响。 

本发明的另一目的是提出一种薄膜制备装置，能够有效的减少离子对沉积膜层的轰击损伤，提高沉积膜层的质量。 

为实现上述目的，本发明提供了一种射频电极，该射频电极具有平板结构(11)，且在平板结构(11)的底面设有多个导电凸起(13)，所述多个导电凸起(13)能够在薄膜制备过程中伸入布气板(3)上分布的布气孔(4)中，以使通过布气孔(4)的气体在多个导电凸起(13) 和布气孔(4)之间放电。 

进一步的，所述多个导电凸起(13)伸入布气孔(4)的部分为柱体、管体、倒锥体或球体，且所述多个导电凸起(13)与布气孔(4)之间放电的区域没有棱角。 

进一步的，所述柱体为圆柱体、椭圆柱体或多边形柱体；所述管体为圆柱管体、椭圆柱管体或多边形柱管体。 

进一步的，所述柱体或管体的末端为圆弧形。 

为实现上述另一目的，本发明提供了一种包括上述任一射频电极的薄膜制备装置，其中所述射频电极的多个导电凸起(13)伸入布气板(3)上分布的布气孔(4)的中央，在导电凸起(13)和布气孔(4)之间存在间隙。 

进一步的，所述多个导电凸起(3)伸入布气孔(4)的部分为倒锥体或球体，所述布气孔(4)的内壁与所述多个导电凸起(3)伸入布气孔(4)的部分相适应。 

进一步的，在所述射频电极和基板之间增加偏置电压。 

进一步的，所述间隙为0.2mm～20mm。 

进一步的，所述射频电极的多个导电凸起(13)的末端与基板(12)之间的距离为2mm～100mm。 

进一步的，所述射频电极的多个导电凸起(13)的长度为1mm～100mm。 

基于上述技术方案，本发明在平板结构上设置了插入布气孔中的导电凸起，使得薄膜制备过程中通过布气孔中的气体能够在导电凸起周围产生强烈放电，从而减少了电离出的离子对薄膜的轰击损伤，提高了沉积膜层的质量。 

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中： 

图1为现有薄膜制备装置的结构示意图。 

图2为本发明薄膜制备装置的一实施例的结构示意图。 

图3为本发明薄膜制备装置的布气板和插入的导电凸起的平面示意图。 

图4a-4d为本发明薄膜制备装置的几种布气板和插入的导电凸起的平面示意图。 

图5a-5c为本发明薄膜制备装置的几种布气板和插入的导电凸起的剖面示意图。 

具体实施方式

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。 

如图2所示，为本发明薄膜制备装置的一实施例的结构示意图。该装置至少包括射频电极、布气板3、用于沉积薄膜的基板12，其中射频电极具有平板结构11，且在平板结构11的底面设有多个导电凸起13，这些导电凸起13伸入布气板3上分布的布气孔4的中央，以使通过布气孔4的气体在多个导电凸起13和布气孔4之间放电。在导电凸起13和布气孔4之间存在有间隙。