[发明专利]电子器件的制造方法以及电子器件无效
| 申请号： | 200810126616.8 | 申请日： | 2008-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN101330027A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 山野孝治;荒井直 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;彭会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子器件的制造方法以及电子器件。该方法包括以下步骤：在设置于半导体芯片(101)上的电极焊盘(103)上形成凸点(104)；在半导体芯片(101)上形成低模量绝缘层(120)，然后在低模量绝缘层(120)上层叠弹性模量高于低模量绝缘层(120)的弹性模量的高模量绝缘层(121)，从而形成层叠绝缘层(105)；使凸点(104)的一部分从层叠绝缘层(105)的上表面露出；以及形成与凸点(104)连接的导电图案(106)。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件的制造方法，包括：第一步，在设置于基板本体上的电极焊盘上形成凸点；第二步，在所述基板本体上形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层上层叠并形成第二绝缘层，所述第二绝缘层的弹性模量高于第一绝缘层的弹性模量；第三步，使所述凸点的一部分从所述绝缘层的上表面露出；以及第四步，形成与所述凸点连接的导电图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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