[发明专利]金属绝缘体金属电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810126244.9 | 申请日： | 2008-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101335268A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 裵铉洙 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/06;H01L27/08;H01L29/92;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;尚志峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 金属－绝缘体－金属(MIM)电容器包括：下部金属层，包括形成在半导体衬底上的第一下部金属层和第二下部金属层；上部金属层，包括形成在所述下部金属层上的第一上部金属层和第二上部金属层；电容器介电层，形成在所述下部金属层和所述上部金属层之间；第一焊接金属层，形成在所述上部金属层上，以及第二焊接金属层，形成在所述下部金属层；第一连接布线，形成在所述上部金属层和所述第一焊接金属层之间，用于将所述上部金属层直接连接至所述第一焊接金属层；以及第二连接布线，形成在所述下部金属层和所述第二焊接金属层之间，用于将所述下部金属层直接连接至所述第二焊接金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：下部金属层，包括形成在半导体衬底上的第一下部金属层和第二下部金属层；上部金属层，包括形成在所述下部金属层上的第一上部金属层和第二上部金属层；电容器介电层，形成在所述下部金属层和所述上部金属层之间；形成在所述上部金属层上的第一焊接金属层和形成在所述下部金属层上的第二焊接金属层；第一连接布线，形成在所述上部金属层和所述第一焊接金属层之间，用于将所述上部金属层直接连接至所述第一焊接金属层；以及第二连接布线，形成在所述下部金属层和所述第二焊接金属层之间，用于将所述下部金属层直接连接至所述第二焊接金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
