[发明专利]金属绝缘体金属电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

下部金属层，包括形成在半导体衬底上的第一下部金属层和第二下部金属层；

上部金属层，包括形成在所述下部金属层上的第一上部金属层和第二上部金属层；

电容器介电层，形成在所述下部金属层和所述上部金属层之间；

形成在所述上部金属层上的第一焊接金属层和形成在所述下部金属层上的第二焊接金属层；

第一连接布线，形成在所述上部金属层和所述第一焊接金属层之间，用于将所述上部金属层直接连接至所述第一焊接金属层；以及

第二连接布线，形成在所述下部金属层和所述第二焊接金属层之间，用于将所述下部金属层直接连接至所述第二焊接金属层。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电容器介电层包括SiN。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电容器介电层的厚度在410至510之间的范围内。

4.一种方法，包括：

在半导体衬底上形成包括第一下部金属层和第二下部金属层的下部金属层；以及然后

在所述下部金属层上形成电容器介电层；以及然后

在所述电容器介电层的一部分上形成包括第一上部金属层和第二上部金属层的上部金属层；以及然后

形成第一硅层以覆盖所述下部金属层和所述上部金属层；以及然后

在包括所述第一硅层的所述半导体衬底上形成第二硅层以使所述半导体衬底水平；以及然后

通过蚀刻所述第一硅层和所述第二硅层以及所述电容器介电层以暴露所述下部金属层的一部分，来形成第一布线图案；以及然后

通过蚀刻所述第一硅层和所述第二硅层以暴露所述上部金属层的一部分，来形成第二布线图案；以及然后

在所述第二硅层上形成第三硅层；以及然后

通过在对应于所述下部金属层和所述上部金属层的区域中蚀刻所述第三硅层，来形成第三布线图案和第四布线图案；以及然后

同时地，在所述第一布线图案和所述第二布线图案中埋入金属材料以形成连接布线，并在所述第三布线图案和所述第四布线图案中埋入金属材料以形成焊接金属层。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：在形成所述第三硅层之后，在所述第三硅层上形成四乙基原硅酸盐(TEOS)层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述第三布线图案和所述第四布线图案包括在对应于所述下部金属层和所述上部金属层的区域中蚀刻所述第三硅层和所述TEOS层。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一下部金属层包括Ti以及所述第二下部金属层包括TiN。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一下部金属层的厚度在1,200至1,400之间的范围内，以及所述第二下部金属层的厚度在400至600之间的范围内。

9.根据权利要求4所述的方法，其中，所述电容器介电层包括SiN，以及所述电容器介电层的厚度在410至510之间的范围内。

10.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一上部金属层包括Ti以及所述第二上部金属层包括TiN。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一上部金属层的厚度在1,200至1,400之间的范围内，以及所述第二上部金属层的厚度在400至600之间的范围内。

12.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一硅层包括SiH₄和SiN中的至少一个，以及所述第一硅层的厚度在400至600之间的范围内。

13.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第三硅层包括SiN。

14.根据权利要求4所述的方法，其中，所述连接布线和所述焊接金属层中的每一个均包括铜。