[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件

摘要

提供在CMIS构造的半导体器件中降低n型以及p型MISFET的界面电阻的半导体器件的制造方法以及半导体器件。该半导体器件的制造方法以及半导体器件的特征在于，在第一半导体区域上形成n型MISFET的栅极绝缘膜和栅电极，在第二半导体区域上形成p型MISFET的栅极绝缘膜和栅电极，对第一半导体区域离子注入As，形成n型扩散层，在第一半导体区域上淀积包含Ni的第一金属之后，通过第一热处理形成第一硅化物层，在第一硅化物层上以及第二半导体区域上淀积包含Ni的第二金属之后，通过第二热处理将第一硅化物层进行厚膜化，并且形成第二硅化物层，对第二硅化物层离子注入B或者Mg之后，施加第三热处理。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，是在半导体衬底上具有n型MISFET和p型MISFET的半导体器件的制造方法，其特征在于，在上述半导体衬底的第一半导体区域上形成上述n型MISFET的栅极绝缘膜，在上述半导体衬底的第二半导体区域上形成上述p型MISFET的栅极绝缘膜，在上述n型MISFET的栅极绝缘膜上形成上述n型MISFET的栅电极，在上述p型MISFET的栅极绝缘膜上形成上述p型MISFET的栅电极，对上述第一半导体区域离子注入As，形成n型扩散层，在上述第一半导体区域上淀积包含Ni的第一金属之后，通过第一热处理将上述第一半导体区域进行硅化物化来形成第一硅化物层，在上述第一硅化物层上以及上述第二半导体区域上淀积包含Ni的第二金属之后，通过第二热处理将上述第一半导体区域进行硅化物化从而将上述第一硅化物层进行厚膜化，并且将上述第二半导体区域进行硅化物化来形成第二硅化物层，对上述第二硅化物层离子注入B或者Mg之后，施加第三热处理。