[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件无效
| 申请号： | 200810125334.6 | 申请日： | 2008-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101330055A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 山内尚;西义史;木下敦宽;土屋义规;古贺淳二;加藤弘一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，是在半导体衬底上具有n型MISFET和p型MISFET的半导体器件的制造方法，其特征在于，
在上述半导体衬底的第一半导体区域上形成上述n型MISFET的栅极绝缘膜，
在上述半导体衬底的第二半导体区域上形成上述p型MISFET的栅极绝缘膜，
在上述n型MISFET的栅极绝缘膜上形成上述n型MISFET的栅电极，
在上述p型MISFET的栅极绝缘膜上形成上述p型MISFET的栅电极，
对上述第一半导体区域离子注入As，形成n型扩散层，
在上述第一半导体区域上淀积包含Ni的第一金属之后，通过第一热处理将上述第一半导体区域进行硅化物化来形成第一硅化物层，
在上述第一硅化物层上以及上述第二半导体区域上淀积包含Ni的第二金属之后，通过第二热处理将上述第一半导体区域进行硅化物化从而将上述第一硅化物层进行厚膜化，并且将上述第二半导体区域进行硅化物化来形成第二硅化物层，
对上述第二硅化物层离子注入B或者Mg之后，施加第三热处理。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
上述第三热处理后的上述第一硅化物层的膜厚是上述第三热处理后的上述第二硅化物层的膜厚的两倍以上。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
上述第三热处理后的上述第一硅化物层的深度比即将淀积上述第一金属之前的上述n型扩散层的深度深。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
上述第一金属或者上述第二金属包含Pt。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
对上述第二硅化物层离子注入B以及Mg。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
上述第一热处理的温度比上述第二热处理的温度低。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
上述第三热处理的温度是350℃以上550℃以下。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
上述n型MISFET以及上述p型MISFET是Fin型MISFET。
9.一种半导体器件的制造方法，是在半导体衬底上具有n型MISFET和p型MISFET的半导体器件的制造方法，其特征在于，
在上述半导体衬底的第一半导体区域上形成上述n型MISFET的栅极绝缘膜，
在上述半导体衬底的第二半导体区域上形成上述p型MISFET的栅极绝缘膜，
在上述n型MISFET的栅极绝缘膜上形成上述n型MISFET的栅电极，
在上述p型MISFET的栅极绝缘膜上形成上述p型MISFET的栅电极，
对上述第一半导体区域离子注入As，形成n型扩散层，
在上述第一半导体区域上淀积包含Ni的第一金属之后，对上述第一金属离子注入As，从而将上述第一半导体区域进行硅化物化来形成第一硅化物层，
在上述第一硅化物层上以及上述第二半导体区域上淀积包含Ni的第二金属之后，通过第一热处理将上述第一半导体区域进行硅化物化从而将上述第一硅化物层进行厚膜化，并且将上述第二半导体区域进行硅化物化来形成第二硅化物层，
对上述第二硅化物层离子注入B或者Mg之后，施加第二热处理。
10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
对上述第一金属离子注入As时的、As的剂量是2.4×1016atoms/cm2以上、3.0×1016atoms/cm2以下。
11.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
上述第二热处理后的上述第一硅化物层的膜厚是上述第二热处理后的上述第二硅化物层的膜厚的两倍以上。
12.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
上述第二热处理后的上述第一硅化物层的深度比即将淀积上述第一金属之前的上述n型扩散层的深度深。
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