[发明专利]利用井口时间提高静校正量精度的方法无效

专利信息
申请号: 200810116290.0 申请日: 2008-07-08
公开(公告)号: CN101625419A 公开(公告)日: 2010-01-13
发明(设计)人: 邓志文;崔士天;赵贤正;白旭明;邱毅;唐传章 申请(专利权)人: 中国石油集团东方地球物理勘探有限责任公司
主分类号: G01V1/36 分类号: G01V1/36
代理公司: 北京市中实友知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘天语
地址: 072751河*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明是地震勘探中利用井口时间提高静校正量精度的方法,收集记录井口时间,剔除其中的异常值,用已知的表层厚度和速度模型,直接用井口时间计算炮点静校正量,当野外表层调查数据很少或没有表层调查数据,没有已知的表层厚度和速度模型时,提取每一激发井的深度和井口时间,计算等效平均速度,建立高密度的表层厚度模型和速度模型,计算静校正量。本发明直接利用井口时间提高了静校正量精度,优化了炮点静校正量计算结果,也可以通过井口时间在表层调查控制点稀少或没有的工区建立高精度的静校正量计算模型,得到高精度静校正量。同时得到的表层速度数据模型能够在初至折射波、层析成像、波动方程等静校正方法中应用,经济效益可观。
搜索关键词: 利用 井口 时间 提高 校正 精度 方法
【主权项】:
1、一种利用井口时间提高静校正量精度的方法,其特征在于具体步骤如下:1)收集野外地震采集施工时记录井口时间,剔除其中的异常值;2)利用已知的表层厚度和速度模型,直接用井口时间按以下公式计算炮点静效正量: <mrow> <mi>T</mi> <mo>=</mo> <mrow> <mo>(</mo> <munderover> <mi>&Sigma;</mi> <mrow> <mi>i</mi> <mo>=</mo> <mn>1</mn> </mrow> <mi>n</mi> </munderover> <mfrac> <msub> <mi>h</mi> <mi>i</mi> </msub> <msub> <mi>V</mi> <mi>i</mi> </msub> </mfrac> <mo>-</mo> <mi>&tau;</mi> <mo>/</mo> <mn>1000</mn> <mo>-</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>H</mi> <mi>d</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>H</mi> <mi>g</mi> </msub> </mrow> <msub> <mi>V</mi> <mi>s</mi> </msub> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mo>&times;</mo> <mn>1000</mn> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mn>2</mn> <mo>)</mo> </mrow> </mrow>式中:T-炮点静校正量(ms),hi-第i层介质的厚度(m),Vi-第i层介质的速度(m/s),Hd-基准面高程(m),Hg-高速顶界面高程(m),Vs-基准面校正速度(m/s),τ-井口时间(ms),dj-井深在第j层介质的厚度(m)。3)当野外表层调查数据很少或没有表层调查数据,没有已知的表层厚度和速度模型时,提取每一激发井的深度(d)和井口时间(τ),计算等效平均速度v=d/τ,每一个激发点是一个空间样点;4)根据深度d和速度v两个属性参数,建立高密度的表层厚度模型和速度模型;5)在上面建立的模型基础上,用以下公式计算静校正量:检波点静校正量: <mrow> <mi>T</mi> <mo>=</mo> <mo>-</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mi>h</mi> <mi>V</mi> </mfrac> <mo>-</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>H</mi> <mi>d</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>H</mi> <mi>g</mi> </msub> </mrow> <msub> <mi>V</mi> <mi>s</mi> </msub> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mo>&times;</mo> <mn>1000</mn> </mrow>炮点静校正量: <mrow> <mi>T</mi> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>H</mi> <mi>d</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>H</mi> <mi>g</mi> </msub> </mrow> <msub> <mi>V</mi> <mi>s</mi> </msub> </mfrac> <mo>&times;</mo> <mn>1000</mn> </mrow>上式中:T-炮点、检波点静校正量(ms),h-表层介质厚度(m),V-表层速度(m/s),Hd-基准面高程(m),Hg-高速顶界面高程(m),Vs-基准面校正速度(m/s)。
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