[发明专利]曝光设备焦距监测方法有效
| 申请号： | 200810113688.9 | 申请日： | 2008-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101592869A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 肖楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种曝光设备焦距监测的方法，包括：提供具有基准标记的掩模板，通过光刻工艺和刻蚀工艺，将所述基准标记转移到基底的上，在所述基底上形成基准标记图案；提供具有测试标记的掩模板；在具有所述基准标记图案的基底上形成光刻胶层，利用所述的曝光设备执行光刻工艺，将所述测试标记转移到所述光刻胶层中，形成测试标记图案；测量所述测试标记图案与基准标记图案的偏移量；若所述的偏移量不等于目标值，则所述曝光设备偏离最佳曝光位置。本方法工艺步骤简单，测量效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 设备 焦距 监测 方法 | ||
【主权项】：
1、一种曝光设备焦距监测的方法，其特征在于，包括：提供具有基准标记的掩模板，通过光刻工艺和刻蚀工艺，将所述基准标记转移到基底的上，在所述基底上形成基准标记图案；提供具有测试标记的掩模板；在具有所述基准标记图案的基底上形成光刻胶层，利用所述的曝光设备执行光刻工艺，将所述测试标记转移到所述光刻胶层中，形成测试标记图案；测量所述测试标记图案与基准标记图案的偏移量；若所述的偏移量不等于目标值，则所述曝光设备偏离最佳曝光位置。
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