[发明专利]场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法有效
| 申请号： | 200810110124.X | 申请日： | 2008-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101325218A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 郑现钟;郑兰珠;徐顺爱;金东彻;李章元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/12;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;罗延红 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法。所述场效应晶体管可包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 包括 逻辑电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种场效应晶体管，包括：双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、漏区以及沟道区以单片结构形成；栅电极，位于沟道区上；绝缘层，隔离栅电极与双极性层，其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接。
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