[发明专利]场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法有效
| 申请号： | 200810110124.X | 申请日： | 2008-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101325218A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 郑现钟;郑兰珠;徐顺爱;金东彻;李章元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/12;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;罗延红 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 包括 逻辑电路 制造 方法 | ||
1.一种场效应晶体管，包括：
双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、 漏区以及沟道区以单片结构形成；
栅电极，位于沟道区上；
绝缘层，隔离栅电极与双极性层，
其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区 的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接，
其中，第二方向与第一方向垂直相交，
其中，与靠近漏区相比，栅电极更靠近源区形成，使得所述场效应晶体 管为n型。
2.一种场效应晶体管，包括：
双极性层，包括源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区，其中，源区、 漏区以及沟道区以单片结构形成；
栅电极，位于沟道区上；
绝缘层，隔离栅电极与双极性层，
其中，在与第一方向相交的第二方向上，源区和漏区的宽度大于沟道区 的宽度，源区和漏区在第一方向上彼此连接，
其中，第二方向与第一方向垂直相交，
其中，与靠近源区相比，栅电极更靠近漏区形成，使得所述场效应晶体 管为p型。
3.如权利要求1或2所述的场效应晶体管，其中，沟道区具有5nm至 100nm的宽度。
4.如权利要求3所述的场效应晶体管，其中，双极性层为单层。
5.如权利要求3所述的场效应晶体管，其中，双极性层由从氮化硼、碲 化镉、硒化铌构成的组中选择的材料形成。
6.如权利要求3所述的场效应晶体管，其中，双极性层包括1至9个石 墨烯层。
7.如权利要求3所述的场效应晶体管，其中，栅电极包括在沟道区上分 别靠近源区和漏区形成的第一栅电极和第二栅电极，其中，当电压被选择性 地施加到第一栅电极或第二栅电极时，所述场效应晶体管为n型或p型。
8.如权利要求3所述的场效应晶体管，还包括：
基底，其中，绝缘层形成在基底上，并且双极性层形成在绝缘层上。
9.如权利要求3所述的场效应晶体管，还包括：
基底，其中，栅电极形成在基底和绝缘层之间。
10.一种逻辑电路，包括至少一个p型晶体管和至少一个n型晶体管， 其中，所述至少一个p型晶体管和所述至少一个n型晶体管中的每个是如权 利要求3所述的场效应晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810110124.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：全像光学储存系统
- 下一篇：制作同色纱线的染料组合及制作间色织物的方法
- 同类专利
- 专利分类
