[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810109322.4 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101315926A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 松井聪;栗田洋一郎 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/00;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 目的在于提供一种即使当使用具有贯通电极的半导体芯片时，也可改善结合的可靠性和产品合格率的半导体器件，本发明的半导体器件具有：基板；叠层，设置在基板上，且由多个叠置的半导体芯片(第一半导体芯片和第二半导体芯片)组成，每个半导体芯片都具有贯通电极，同时在半导体芯片之间设置连接至贯通电极的凸块；以及加强芯片(半导体芯片)，设置在叠层上，具体是在与基板一侧表面相对的叠层表面上，或在基板和叠层之间，其中加强芯片的厚度比多个半导体芯片中最厚的半导体芯片大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基板；叠层，设置在所述基板上，且由多个叠置的半导体芯片组成，所述多个半导体芯片的每一个都具有贯通电极，同时在所述半导体芯片之间设置连接至所述贯通电极的凸块；和加强芯片，提供在所述叠层上，具体是在所述叠层的与基板一侧表面相对的表面上，或在所述基板和所述叠层之间，其中所述加强芯片的厚度比所述多个半导体芯片中最厚的半导体芯片大。
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