[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：

将基板加热直到第一温度；

通过顺序叠置在比所述第一温度高的第二温度下加热的多个半导体芯片，在所述基板上形成叠层，所述多个半导体芯片的每一个都具有贯通电极；

将比所述多个半导体芯片中最厚的半导体芯片厚的、加热到所述第二温度的加强芯片叠置在所述叠层上；和

将所述基板、所述叠层和所述加强芯片冷却到正常温度。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，

其中在所述基板的安装了所述半导体芯片的表面上，所述基板具有绝缘层和在其上的互连层，以及

在所述冷却之后，

移除所述基板以便暴露出所述绝缘层，以由此形成插入器。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，进一步包括，在所述形成所述插入器之后：

将所述插入器、所述叠层和所述加强芯片加热直至所述第一温度；

将加热至所述第二温度的半导体芯片进一步结合到所述插入器、具体是在所述插入器的与安装了所述叠层的表面相对的表面上，同时将凸块设置在其间；以及

使所述插入器、所述叠层、所述加强芯片和所述半导体芯片冷却到正常温度，所述半导体芯片提供到所述插入器、具体是在与所述插入器的安装了所述叠层的表面相对的表面上。