[发明专利]制造有机电致发光元件的方法无效
申请号: | 200810107858.2 | 申请日: | 2008-05-23 |
公开(公告)号: | CN101312156A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 曾根宏隆;大国寿夫;吉野公彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社丰田自动织机 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/68;H01L51/56;C23C14/04;C23C16/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 柯广华;刘宗杰 |
地址: | 日本爱知*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种制造有机电致发光(EL)元件的方法,其中:在透明衬底(11)上形成衬底标记(13)作为对准标记;衬底标记(13)与在透明衬底(11)上形成透明电极(12)的同时形成;衬底标记(13)用与透明电极(12)相同的材料形成;多个滤光片(17)的透射波长的中心波长彼此不同;从多个滤光片(17)选择与衬底标记(13)的厚度对应的滤光片(17);光从白光光源(16)透过所选的滤光片(17)照射到衬底标记(13)上;于是,识别出衬底标记(13)以使阴影掩模(14)与透明衬底(11)对准。 | ||
搜索关键词: | 制造 有机 电致发光 元件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造有机电致发光元件的方法,其特征在于包括如下步骤:在透明衬底(11)上形成透明电极(12);在透明衬底(11)上形成衬底标记(13)作为对准标记,所述衬底标记(13)与在透明衬底(11)上形成透明电极(12)的同时形成,且所述衬底标记(13)用与透明电极(12)相同的材料形成,所述衬底标记(13)具有厚度;将所述透明衬底(11)设置在阴影掩模(14)之上,以将所述阴影掩模(14)与所述透明衬底(11)对准;准备白光光源(16)和多个滤光片(17),其中各滤光片(17)的透射波长的中心波长彼此不同;从所述多个滤光片(17)中选择一个对应于衬底标记(13)厚度的滤光片(17);将来自白光光源(16)的光通过所选的滤光片(17)照射到所述衬底标记(13)上,以利用所述衬底标记(13)将所述阴影掩模(14)与所述透明衬底(11)对准;以及通过所述阴影掩模(14)进行淀积,在透明电极(12)上层叠有机EL层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社丰田自动织机,未经株式会社丰田自动织机许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810107858.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高强度护坡钢丝网
- 下一篇:用以退出冷锻零件的顶出装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造