[发明专利]电阻存储器、含有电阻存储器的集成电路的制作方法有效
| 申请号： | 200810105310.4 | 申请日： | 2008-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101572248A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 鲍震雷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/768;H01L27/24;H01L23/522;H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种含有电阻存储器的集成电路的制作方法，包括：提供包括核心器件区域和外围电路区域的层间介质层；在层间介质层内分别形成第一互连结构和第二互连结构；在第一互连结构和第二互连结构表面上形成第一介质层和第二介质层；形成覆盖层间介质层以及第一介质层和第二介质层的第一导电层；去除外围电路区域的第一导电层以及第二介质层，暴露出第二互连结构，在核心器件区域，只保留第一介质层上的第一导电层；在第一导电层以及第二互连结构上分别形成第二导电层和第三导电层；分别在第一导电层以及第二互连结构上形成第二导电层和第三导电层。所述方法，在形成电阻存储器的同时，可以实现核心器件区域和外围电路区域的层间互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 含有 集成电路 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的层间介质层，所述半导体衬底和层间介质层包括核心器件区域和外围电路区域；在核心器件区域的层间介质层内形成第一互连结构，在外围电路区域的层间介质层内形成第二互连结构，第一互连结构用于电连接核心器件区域的半导体器件，第二互连结构用于电连接外围电路区域的半导体器件；在第一互连结构上形成第一介质层，在第二互连结构上形成第二介质层；形成覆盖层间介质层以及第一介质层和第二介质层的第一导电层；去除外围电路区域的第一导电层以及第二介质层，暴露出第二互连结构，在核心器件区域，去除层间介质层上的第一导电层，保留第一介质层上的第一导电层；在第一导电层以及第二互连结构上分别形成第二导电层和第三导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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