[发明专利]电阻存储器、含有电阻存储器的集成电路的制作方法

权利要求书

1.一种含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的层间介质层，所述半导体衬底和层间介质层包括核心器件区域和外围电路区域；

在核心器件区域的层间介质层内形成第一互连结构，在外围电路区域的层间介质层内形成第二互连结构，第一互连结构用于电连接核心器件区域的半导体器件，第二互连结构用于电连接外围电路区域的半导体器件；

在第一互连结构上形成第一介质层，在第二互连结构上形成第二介质层；

形成覆盖层间介质层以及第一介质层和第二介质层的第一导电层；

去除外围电路区域的第一导电层以及第二介质层，暴露出第二互连结构，在核心器件区域，去除层间介质层上的第一导电层，保留第一介质层上的第一导电层；

在第一导电层以及第二互连结构上分别形成第二导电层和第三导电层。

2.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，去除外围电路区域的第一导电层以及第二介质层，暴露出第二互连结构，在核心器件区域，只保留第一介质层上的第一导电层的工艺步骤为：

形成位于核心器件区域并与第一介质层的位置对应的掩膜；

刻蚀第一导电层、第二介质层，直至暴露出第二互连结构；

去除所述掩膜。

3.根据权利要求1所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，去除外围电路区域的第一导电层以及第二介质层，暴露出第二互连结构，在核心器件区域，只保留第一介质层上的第一导电层的工艺步骤为：

形成位于核心器件区域并与第一介质层的位置对应的掩膜；

刻蚀第一导电层至暴露出层间介质层；

去除所述掩膜；

去除外围电路区域的第二介质层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，第一介质层是通过氧化形成所述第一互连结构的金属形成的具有二元电阻特性的介质薄膜。

5.根据权利要求1至3中任一项所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，第一介质层是通过沉积工艺形成的具有二元电阻特性的介质薄膜。

6.根据权利要求1至3中任一项所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，所述第一导电层为金属铝或者氮化钛、氮化钽或者金属Pt。

7.根据权利要求1至3中任一项所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，第一导电层的厚度为20nm至80nm。

8.根据权利要求1至3中任一项所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，所述第二导电层为金属铝、氮化钛或者氮化钽中的任意一种或者几种。

9.根据权利要求8所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，所述第二导电层为氮化钛-铝-氮化钛的复合结构。

10.根据权利要求1至3中任一项所述含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，所述第一互连结构和第二互连结构为金属铜或者钨。