[发明专利]一种耐高压的横向双扩散MOS晶体管无效
| 申请号： | 200810103337.X | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101257047A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 肖韩;黄如;杨淮洲;王鹏飞 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐高压的横向双扩散MOS晶体管，属于微电子半导体器件领域。该器件包括栅区、源区、漏区、体区、栅介质以及漂移区，所述漂移区位于体区和漏区之间，掺杂类型与体区相反，在所述漂移区内设有一绝缘介质区和一与漂移区掺杂类型相反的掺杂区，并且，所述掺杂区的掺杂浓度要比漂移区的掺杂浓度高，所述掺杂区靠近体区，而所述绝缘介质区靠近漏区。由于在漂移区中同时引入绝缘介质区和掺杂区，有利于降低漂移区的有效深度，使电场更均匀，并且增大了漂移区的等效长度，本发明横向双扩散MOS晶体管器件的耐高电压特性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 横向 扩散 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种耐高压的横向双扩散MOS晶体管，包括栅区、源区、漏区、体区、栅介质以及漂移区，所述漂移区位于体区和漏区之间，掺杂类型与体区相反，其特征在于，在所述漂移区内设有一绝缘介质区和一与漂移区掺杂类型相反的掺杂区，并且，所述掺杂区的掺杂浓度要比漂移区的掺杂浓度高，所述掺杂区靠近体区，而所述绝缘介质区靠近漏区。
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