[发明专利]一种耐高压的横向双扩散MOS晶体管

权利要求书

1、一种耐高压的横向双扩散MOS晶体管，包括栅区、源区、漏区、体区、栅介质以及漂移区，所述漂移区位于体区和漏区之间，掺杂类型与体区相反，其特征在于，在所述漂移区内设有一绝缘介质区和一与漂移区掺杂类型相反的掺杂区，并且，所述掺杂区的掺杂浓度要比漂移区的掺杂浓度高，所述掺杂区靠近体区，而所述绝缘介质区靠近漏区。

2、如权利要求1所述的耐高压的横向双扩散MOS晶体管，其特征在于，所述掺杂区与所述漂移区的上表面齐平。

3、如权利要求1或2所述的耐高压的横向双扩散MOS晶体管，其特征在于，所述绝缘介质区的上表面不低于所述漂移区的上表面。

4、如权利要求1所述的耐高压的横向双扩散MOS晶体管，其特征在于，所述漂移区的横向长度值范围为10nm至50μm。

5、如权利要求1或4所述的耐高压的横向双扩散MOS晶体管，其特征在于，所述漂移区的纵向深度值范围为10nm至10μm，其掺杂浓度取值范围在10¹²至10¹⁹cm^-3。

6、如权利要求1所述的耐高压的横向双扩散MOS晶体管，其特征在于，所述绝缘介质区采用介电常数低于硅的材料或者由两种或两种以上介电常数低于硅的材料组合构成。

7、如权利要求1或6所述的耐高压的横向双扩散MOS晶体管，其特征在于，所述绝缘介质区的横向长度值范围为10nm至10μm，其纵向深度值范围为10nm至10μm。

8、如权利要求1所述的耐高压的横向双扩散MOS晶体管，其特征在于，所述掺杂区的杂质浓度范围为10¹²至10²¹cm^-3。

9、如权利要求1或8所述的耐高压的横向双扩散MOS晶体管，其特征在于，所述掺杂区的横向长度值范围为10nm至10μm，其纵向深度值范围为10nm至10μm。