[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器像素结构及制作方法有效
| 申请号： | 200810102789.6 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101546077A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 何祥飞;王威 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程殿军;张颖玲 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，涉及TFT-LCD技术，为解决当前TFT-LCD显示效果不佳及工艺繁杂而提出，所采用的技术方案是：包括有栅线和数据线，栅线和数据线交叉形成像素区域，所述像素区域包括至少一薄膜晶体管和一像素电极，所述薄膜晶体管的源极形成在最底层，所述源极上依次为有源层和漏极，所述源极与数据线连接、漏极与像素电极连接；所述栅极形成在有源层的侧面，并与栅线连接；所述有源层的侧面、与有源层的侧面相对的栅极部分构成垂直向的电流沟道，即形成侧栅极沟道。本发明同时公开了一种前述像素结构的制作方法。本发明明显提高了TFT沟道的电流强度，改善了TFT-LCD的显示效果，提高了TFT-LCD像素结构的制作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 液晶显示器 像素 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，包括有栅线和数据线，栅线和数据线交叉形成像素区域，所述像素区域包括至少一薄膜晶体管和一像素电极，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极形成在最底层，所述源极上依次为有源层和漏极，所述源极与数据线连接、漏极与像素电极连接；所述栅极形成在有源层的侧面，并与栅线连接；所述有源层的侧面、与有源层的侧面相对的栅极部分构成垂直向的电流沟道，即形成侧栅极沟道。
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