[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器像素结构及制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，包括有栅线和数据线，栅线和数据线交叉形成像素区域，所述像素区域包括至少一薄膜晶体管和一像素电极，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极形成在最底层，所述源极上依次为有源层和漏极，所述源极与数据线连接、漏极与像素电极连接；所述栅极形成在有源层的侧面，并与栅线连接；所述有源层的侧面、与有源层的侧面相对的栅极部分构成垂直向的电流沟道，即形成侧栅极沟道。 

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，其特征在于，所述有源层为三层结构，由上至下依次为：掺杂半导体层、半导体层、掺杂半导体层； 

所述像素电极连接于有源层的上掺杂半导体层，所述源极与有源层的下掺杂半导体层连接。 

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，其特征在于，所述掺杂半导体层为N+a-Si层，所述半导体层为a-Si层。 

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，其特征在于，同一次构图工艺中形成的所述像素电极、漏极及栅极与另同一次构图工艺中形成的所述栅线、数据线及有源层之间形成有绝缘层。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，其特征在于，所述漏极与有源层之间通过绝缘层上的过孔连接；所述栅极与所述栅线之间通过绝缘层上的过孔连接。 

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，其特征在于，所述栅线、数据线及源极由同一次构图工艺中的相同材质形成。 

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器的像素结构，其特征在于，所述像素电极、漏极及栅极由同一次构图工艺中的相同材质形成。 

8.一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构的制作方法，其特征在于，该方法包括： 

步骤一：在衬底基板上沉积金属层和有源层，进行构图工艺，形成栅线、 数据线和有源层的结构；其中，数据线的一部分作为源极，所述有源层形成于源极上； 

步骤二：在当前的衬底基板上沉积绝缘层，在栅线及有源层连接电极层处进行构图，去除连接电极层处的绝缘层，形成过孔； 

步骤三：沉积电极层，进行构图，至少形成像素电极、栅极；其中像素电极的一部分用作薄膜晶体管的漏极，通过过孔与有源层连接；栅极形成在有源层的侧面，并通过过孔与栅线连接，有源层的侧面、与有源层的侧面相对的栅极部分构成垂直向的电流沟道，即形成侧栅极沟道。 

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管液晶显示器的像素结构的制作方法，其特征在于，步骤一中的构图采用的是灰色调掩膜工艺或半色调掩膜工艺。 

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管液晶显示器的像素结构的制作方法，其特征在于，所述有源层为三层结构，由上至下依次为：掺杂半导体层、半导体层、掺杂半导体层； 

所述像素电极连接于有源层的上掺杂半导体层，所述源极与有源层的下掺杂半导体层连接。 

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管液晶显示器的像素结构的制作方法，其特征在于，所述掺杂半导体层为N+a-Si层，所述半导体层为a-Si层。