[发明专利]无负载的包含有四个NMOS晶体管的静态随机存储器

摘要

本发明公开了一种静态随机存储器SRAM单元，以及加快该SRAM单元写入速度的方法。该静态随机存储器单元由具有双栅结构的N沟道FinFET组成，包含一对下拉NMOS管和一对存取NMOS管。一方面，存取MOS管具有较小的沟道长度，而下拉MOS管具有较大的沟道长度。在SRAM为保持模式时，存取MOS管相对于下拉MOS管有较大的漏电流，使得SRAM单元可以有效保持逻辑1。另一方面，SRAM单元中存储节点的电压分别被反馈到存取MOS管和下拉MOS管的背栅上。在SRAM为读取模式时，下拉MOS管相对于存取MOS管有较大的开启状态电流，使得SRAM单元可以有效保持逻辑0。

主权项

1、一种静态随机存储器单元，其特征在于，该静态随机存储器单元包括：第一位线端口和第二位线端口；第一数据存储节点和第二数据存储节点；一字线；第一NMOS FinFET存取管，源和漏分别连接于第一位线端口和第一数据存储节点，顶栅连接于所述字线，背栅连接于第一数据存储节点；第二NMOS FinFET存取管，源和漏分别连接于第二位线端口和第二数据存储节点，顶栅连接于字线，背栅连接于第二数据存储节点；第一NMOS FinFET下拉管，源和漏分别连接于第一数据存储节点和地端，顶栅和背栅连接于第二数据存储节点；第二NMOS FinFET下拉管，源和漏分别连接于第二数据存储节点和地端，顶栅和背栅连接于第一数据存储节点。