[发明专利]无负载的包含有四个NMOS晶体管的静态随机存储器

权利要求书

1.一种静态随机存储器单元，其特征在于，该静态随机存储器单 元包括：

第一位线端口和第二位线端口；

第一数据存储节点和第二数据存储节点；

一字线；

第一NMOS FinFET存取管，源连接于第一数据存储节点，漏连接 于第一位线端口，顶栅连接于所述字线，背栅连接于第一数据存储节 点；

第二NMOS FinFET存取管，源连接于第二数据存储节点，漏连接 于第二位线端口，顶栅连接于字线，背栅连接于第二数据存储节点；

第一NMOS FinFET下拉管，源连接于地端，漏连接于第一数据存 储节点，顶栅和背栅连接于第二数据存储节点；以及

第二NMOS FinFET下拉管，源连接于地端，漏连接于第二数据存 储节点，顶栅和背栅连接于第一数据存储节点；

其中，该静态随机存储器单元为无负载的4管静态随机存储器单 元，第一NMOS FinFET下拉管的沟道长度设置为大于第一NMOS  FinFET存取管的沟道长度，对第二NMOS FinFET下拉管和第二NMOS  FinFET存取管的背栅加以不同的反馈；

所述第一数据存储节点的电压反馈到所述第二NMOS FinFET下 拉管的背栅上，所述第二数据存储节点的电压反馈到所述第二NMOS  FinFET存取管的背栅上，使得在开启状态下，所述第二NMOS FinFET 下拉管相对于所述第二NMOS FinFET存取管有较大的沟道电流，在读 取状态下，所述第一数据存储节点保持其存储状态。

2.根据权利要求1所述的静态随机存储器单元，其特征在于，所 述第一NMOS FinFET存取管和第二NMOS FinFET存取管具有相同的 工艺参数，所述第一NMOS FinFET下拉管和第二NMOS FinFET下拉 管具有相同的工艺参数；所述第一NMOS FinFET存取管、第二NMOS  FinFET存取管、第一NMOS FinFET下拉管和第二NMOS FinFET下 拉管具有相同的阈值电压。

3.根据权利要求1所述的静态随机存储器单元，其特征在于，所 述第一NMOS FinFET存取管、第二NMOS FinFET存取管、第一NMOS  FinFET下拉管和第二NMOS FinFET下拉管具有相同的沟道宽度，该 宽度为制作工艺所定义的最小特征尺寸。

4.根据权利要求1所述的静态随机存储器单元，其特征在于：

所述第一NMOS FinFET存取管和第二NMOS FinFET存取管具有 相同的沟道长度，该长度为32nm至45nm；

所述第一NMOS FinFET下拉管和第二NMOS FinFET下拉管具有 的沟道长度，是所述第一NMOS FinFET存取管和第二NMOS FinFET 存取管沟道长度的两倍。

5.根据权利要求1所述的静态随机存储器单元，其特征在于，所 述第一数据存储节点的电压反馈到所述第一NMOS FinFET存取管的 背栅上，所述第二数据存储节点的电压反馈到所述第二NMOS FinFET 存取管的背栅上，使得存取管的背栅与源的电压差保持为0V，保证存 取管在静态随机存储器的保持状态下具有足够的漏电流。

6.根据权利要求1所述的静态随机存储器单元，其特征在于，所 述第一NMOS FinFET存取管、第二NMOS FinFET存取管、第一NMOS  FinFET下拉管和第二NMOS FinFET下拉管是在绝缘体上硅SOI衬底 上具有双栅结构的N沟道场效应晶体管NMOS FinFET。