[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200810099325.4 | 申请日： | 2008-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101312215A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 安井感;石丸哲也;久本大;岛本泰洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L29/49;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件使用在存储栅电极(11A)设置局部电场集中的角部(11cn)，通过FN隧穿工作将存储栅电极(11A)中电荷注入至栅极绝缘膜(2a)中的电荷存储部的擦除方式。由于利用FN隧穿可降低擦除时的消耗电流，因此可降低存储模块的电源电路面积。另外，为了提高写入抗干扰性，采用更简单的存储阵列结构可降低存储阵列面积。可兼顾二者的效果，大幅度减少存储模块的面积，降低制造成本。另外，写入擦除的注入电荷中心一致，因此可提高耐重写性。由此，本发明可在具有在栅极绝缘膜中含有电荷存储部的非易失性存储单元的半导体器件中，缩小非易失性存储区域的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：包括非易失性存储单元，该非易失性存储单元具有半导体衬底、设在上述半导体衬底的主面上的第一栅极绝缘膜、设在上述第一栅极绝缘膜中的电荷存储部、以及设在上述第一栅极绝缘膜上的存储栅电极，在上述存储栅电极上，从在靠上述第一栅极绝缘膜一侧形成的角部一侧向上述电荷存储部注入电荷。
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