[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于：

包括非易失性存储单元，该非易失性存储单元具有半导体衬底、设在上述半导体衬底的主面上的第一栅极绝缘膜、设在上述第一栅极绝缘膜中的电荷存储部、以及设在上述第一栅极绝缘膜上的存储栅电极，

在上述存储栅电极上，从在靠上述第一栅极绝缘膜一侧形成的角部一侧向上述电荷存储部注入电荷。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在上述半导体衬底的主面上隔着第二栅极绝缘膜而设有栅电极，

上述存储栅电极为设在上述栅电极的侧壁一侧的侧壁结构。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

上述存储栅电极的上述角部具有小于90度的锐角部。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述存储栅电极由硅形成，

上述存储栅电极的上述角部通过氧化上述存储栅电极的侧壁而被形成为具有小于90度的锐角部。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述半导体衬底具有n型半导体区域，

上述存储栅电极由n型硅形成，

作为向上述电荷存储部的电荷注入，

具有从上述半导体衬底的上述n型半导体区域向上述电荷存储部注入空穴的结构和从上述存储栅电极向上述电荷存储部注入电子的结构。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：

在从上述存储栅电极向上述电荷存储部注入电子的工作中，

在上述存储栅电极上施加负电位以使在包括上述电荷存储部的上述第一栅极绝缘膜上施加的电场的绝对值为7MV/cm以上11MV/cm以下。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述半导体衬底具有p型半导体区域，

上述存储栅电极由p型硅形成，

作为向上述电荷存储部的电荷注入，

具有从上述半导体衬底的上述p型半导体区域向上述电荷存储部注入电子的结构和从上述存储栅电极向上述电荷存储部注入空穴的结构。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：

在从上述存储栅电极向上述电荷存储部注入空穴的工作中，

在上述存储栅电极上施加正电位以使在包括上述电荷存储部的上述第一栅极绝缘膜上施加的电场的绝对值为7MV/cm以上11MV/cm以下。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述半导体衬底具有p型半导体区域，

上述存储栅电极由n型硅形成，

作为向上述电荷存储部的电荷注入，

具有从上述半导体衬底的上述p型半导体区域向上述电荷存储部注入电子的结构和从上述存储栅电极向上述电荷存储部注入空穴的结构。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述半导体衬底具有n型半导体区域，

上述存储栅电极由p型硅形成，

作为向上述电荷存储部的电荷注入，

具有从上述半导体衬底的上述n型半导体区域向上述电荷存储部注入空穴的结构和从上述存储栅电极向上述电荷存储部注入电子的结构。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述电荷存储部由氮化硅膜形成。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述电荷存储部由氧化铝膜形成。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述电荷存储部由氮氧化硅膜形成。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述电荷存储部由在绝缘膜中含有直径小于上述绝缘膜的膜厚的纳米晶硅的膜形成。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一栅极绝缘膜具有依次层叠氧化硅膜、电荷存储部和氧化硅膜的层叠结构。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一栅极绝缘膜为从上述半导体衬底的主面一侧开始依次层叠氧化硅膜和电荷存储部的层叠结构。