[发明专利]二步骤化学机械抛光无效
| 申请号： | 200810098706.0 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101329993A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄健文;颜伟政;张心宇 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司（新加坡子公司） |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/822;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 新加坡新加坡邮区6088*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种二步骤化学机械抛光法，该方法，包括：在半导体基板上提供二结构，此二结构间具有一间隔；在二结构上以及其间的间隔内提供共形的第一层；在第一层上沉积共形的保护层；平坦化保护层，直到第一层的顶面暴露；以及平坦化第一层和保护层，直到二结构的顶面暴露并且一部分保护层位于二结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 步骤 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在一半导体基板上提供二结构，所述二结构之间具有一间隔；在所述二结构上及所述间隔内提供共形的一第一层；在所述第一层上沉积共形的一保护层；平坦化所述保护层，直到所述第一层的顶面暴露；以及平坦化所述第一层及所述保护层，直到所述二结构的顶面暴露，并且所述保护层的一部分位于所述二结构之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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